[发明专利]一种闭环反馈式可靠性高的晶振驱动电路有效
申请号: | 201811507913.7 | 申请日: | 2018-12-11 |
公开(公告)号: | CN109714044B | 公开(公告)日: | 2023-03-24 |
发明(设计)人: | 方镜清 | 申请(专利权)人: | 中山芯达电子科技有限公司 |
主分类号: | H03L5/00 | 分类号: | H03L5/00 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 肖军 |
地址: | 528436 广东省中山市火*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 闭环 反馈 可靠性 驱动 电路 | ||
本发明公开了一种闭环反馈式可靠性高的晶振驱动电路,包括产生并且输出振荡信号晶振驱动模块和反馈调节模块,反馈调节模块包括检测端、输入端以及输出端,反馈调节模块的检测端与晶振驱动模块的输出端连接以检测输出的振荡信号,反馈调节模块的输入端与外部电源连接,反馈调节模块的输出端与晶振驱动模块连接以通过调节外部电源施加在晶振驱动模块上的电信号来闭环反馈式调整输出的振荡信号;本设计电路简单,功耗低,提高电路运行稳定性,长期处于正常的运行状态下,电路的耐久度也延长,增长了使用寿命,应用非常广泛,尤其在集成电路中。
技术领域
本发明涉及驱动电路领域,特别是一种晶振驱动电路。
背景技术
传统的晶振驱动电路,如图1所示,晶振驱动模块由晶振元件X1’、电阻R1’、电容C1’电容C2’以及反相器U1’构成,由晶振元件X1’产生并输出振荡信号,在不同的温度环境下能保持十分准确。然而,当长期使用,如果晶振元件两端电压偏高,将会导致晶振元件老化,产生的振荡信号漂移不精确,从而导致使用此振荡信号的后续电路出现紊乱,可靠性不高;长期处于此情况下运行,还会导致晶振元件损坏,因此,设计一个能确保晶振在稳定的低电压环境下工作的驱动电路变得致关重要,是业界一个十分富有挑战性的课题。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明的目的是提供一种通过检测输出的振荡信号来形成闭环反馈控制且高可靠性的驱动电路。
本发明采用的技术方案是:
一种闭环反馈式可靠性高的晶振驱动电路,包括:
晶振驱动模块,产生并且输出振荡信号;
反馈调节模块,包括检测端、输入端以及输出端,反馈调节模块的检测端与晶振驱动模块的输出端连接以检测输出的振荡信号,反馈调节模块的输入端与外部电源连接,反馈调节模块的输出端与晶振驱动模块连接以通过调节外部电源施加在晶振驱动模块上的电信号来闭环反馈式调整输出的振荡信号。
所述反馈调节模块包括依次连接的电容开关单元、控制转换单元以及开关调节单元,电容开关单元与晶振驱动模块的输出端连接以检测输出的振荡信号并且对应地产生触发信号,开关调节单元与晶振驱动模块连接,控制转换单元根据触发信号调节开关调节单元导通情况以调节外部电源施加在晶振驱动模块上的电信号。
所述电容开关单元包括电容C3、电容C4、N沟道的晶体管MOS10以及N沟道的晶体管MOS11;
电容C3的一端与晶振驱动模块的输出端连接;
电容C3的另一端分别与电容C4的一端、晶体管MOS11的栅极以及晶体管MOS10的源极连接;
晶体管MOS10的栅极与外部电源连接;
晶体管MOS10的漏极分别与晶体管MOS11的漏极、外部电源以及控制转换单元连接;
晶体管MOS11的源极以及电容C4的另一端均接地。
所述控制转换单元包括P沟道的晶体管MOS12、N沟道的晶体管MOS13、P沟道的晶体管MOS3、P沟道的晶体管MOS4、电容C5、电容C6以及电阻R2;
电容C5的一端分别与晶体管MOS11的漏极、晶体管MOS3的漏极、晶体管MOS12的漏极连接;
晶体管MOS12的栅极与晶体管MOS10的栅极连接;
电容C6的一端分别与晶体管MOS12的源极以及晶体管MOS13的栅极连接;
晶体管MOS13的源极与电阻R2的一端连接;
电阻R2的另一端、电容C5的另一端以及电容C6的另一端均接地;
晶体管MOS3的源极以及晶体管MOS4的源极均接入外部电源;
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