[发明专利]三维镜像工型缝隙分形偶极子超宽频带天线及终端在审
申请号: | 201811492405.6 | 申请日: | 2018-12-07 |
公开(公告)号: | CN109411887A | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
发明(设计)人: | 林斌;魏昕煜;郑萍;潘依郎;洪志杰;李振昌 | 申请(专利权)人: | 厦门大学嘉庚学院 |
主分类号: | H01Q1/38 | 分类号: | H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q1/52;H01Q9/16 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊;陆帅 |
地址: | 363105 *** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜基质 分形偶极子 工型 贴覆 超宽频带天线 第三层 钛酸钡 频段 背面 三维 终端 射频识别频段 移动数字电视 移动通信频段 超宽带通信 超宽频带 辐射干扰 辐射贴片 感应辐射 工作能力 回波损耗 坡莫合金 天线结构 微波频段 依次设置 第一层 能力强 信号源 冗余 镀层 馈电 屏蔽 三层 贴片 辐射 | ||
本发明涉及三维镜像工型缝隙分形偶极子超宽频带天线及终端,包括由上至下依次设置的三层薄膜基质,第一层薄膜基质正面及第三层薄膜基质正面均贴覆有镜像工型缝隙分形偶极子感应辐射贴片,第二层薄膜基质正面贴覆有镜像工型缝隙分形偶极子馈电辐射贴片,第三层薄膜基质背面贴覆有钛酸钡薄片,钛酸钡薄片背面贴覆有的坡莫合金镀层,本天线结构简单,设计合理,具有稳定可靠的超宽频带工作能力,辐射能力强,回波损耗波动较小,性能冗余较大,能够屏蔽微波频段信号源的辐射干扰,能够完全覆盖第二代至第五代移动通信频段、射频识别频段、超宽带通信频段和移动数字电视频段。
技术领域
本发明涉及一种三维镜像工型缝隙分形偶极子超宽频带天线及终端。
背景技术
天线是无线通信系统的核心关键部件,决定着无线通信系统的无线信号传输质量。微波频段多网合一多用途终端天线需要完全覆盖第二代至第五代移动通信频段、射频识别系统工作频段、超宽带系统工作频段、移动数字电视系统工作频段。我国目前使用的第二代移动通信频段为GSM制式 0.905~0.915 GHz、0.950~0.960 GHz、1.710~1.785 GHz、1.805~1.880 GHz频段;第三代移动通信频段为TD-SCDMA制式1.880~1.920 GHz、2.010~2.025 GHz、2.300~2.400 GHz频段和WCDMA制式 1.920~1.980 GHz、2.110~2.170 GHz频段;第四代移动通信频段为TD-LTE制式 2.570~2.620 GHz频段。即将投入使用的第五代移动通信有三个候选频段,分别为:3.300~3.400 GHz、4.400~4.500 GHz、4.800~4.990GHz。射频识别系统有三个主要的工作频段:0.902~0.928 GHz、2.400~2.4835 GHz、5.725~5.875 GHz。超宽带系统的工作频段为3.100~10.600 GHz。移动数字电视系统工作频段为11.700~12.200 GHz。微波频段多网合一多用途终端天线需要完全覆盖上述所有工作频段,且具有稳定可靠的超宽频带工作能力,辐射能力强,回波损耗波动较小,性能冗余较大,能够屏蔽微波频段信号源的辐射干扰。
发明内容
本发明的目的是针对传统袋笼的缺陷和不足,提供一种三维镜像工型缝隙分形偶极子超宽频带天线及终端。
本发明解决技术问题所采用的方案是,一种三维镜像工型缝隙分形偶极子超宽频带天线,包括由上至下依次设置的三层薄膜基质,第一层薄膜基质正面及第三层薄膜基质正面均贴覆有镜像工型缝隙分形偶极子感应辐射贴片,第二层薄膜基质正面贴覆有镜像工型缝隙分形偶极子馈电辐射贴片,第三层薄膜基质背面贴覆有钛酸钡薄片,钛酸钡薄片背面贴覆有的坡莫合金镀层。
进一步的,所述镜像工型缝隙分形偶极子感应辐射贴片和镜像工型缝隙分形偶极子馈电辐射贴片结构完全一致,都由两条对称的工型缝隙分形偶极子辐射臂和下方的镜像补偿结构组成。
进一步的,所述工型缝隙分形偶极子辐射臂由长度为1 mm±0.1 mm、宽度为0.5mm±0.01 mm的馈线和工型缝隙分形区域组成,工型缝隙分形区域的尺寸为12.5 mm±0.1mm×12.5 mm±0.1 mm。
进一步的,所述工型缝隙分形偶极子辐射臂中的工型缝隙分形区域使用至少2阶的工型缝隙分形结构。
进一步的,所述镜像补偿结构与两条工型缝隙分形偶极子辐射臂呈镜像对称,镜像补偿结构与工型缝隙分形偶极子辐射臂的距离为2 mm±0.1 mm。
进一步的,所述镜像工型缝隙分形偶极子馈电辐射贴片的两条辐射臂的对称中心线上开设有断开间隙,在断开间隙的两侧设有天线馈电点。
进一步的,三层薄膜基质结构一致,都为聚对苯二甲酸乙二酯薄膜基质,其形状为矩形,尺寸是29 mm±0.1 mm×29 mm±0.1 mm,厚度为0.2 mm±0.02 mm,相对介电常数为5.5±0.1。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门大学嘉庚学院,未经厦门大学嘉庚学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811492405.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:宽频带高增益的方向图可重构天线及通信设备
- 下一篇:天线阵列