[发明专利]一种平顶脉冲磁场产生装置及太赫兹电磁波产生系统在审

专利信息
申请号: 201811488332.3 申请日: 2018-12-06
公开(公告)号: CN109450410A 公开(公告)日: 2019-03-08
发明(设计)人: 潘垣;王鹏博;李亮;肖后秀 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H03K3/021 分类号: H03K3/021
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 曹葆青;李智
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 补偿线圈 平顶脉冲 放电 总磁场 关断 磁场 磁场产生装置 预设时间段 补偿磁场 产生系统 电磁波 主磁场 预设 电源 预定时间段 毫秒量级 空心磁体 强度确定 输出脉宽 太赫兹波 时间段 占空比 开通 叠加
【权利要求书】:

1.一种平顶脉冲磁场产生装置,其特征在于,包括:同轴的第一补偿线圈、空心磁体以及第二补偿线圈;

所述空心磁体同轴位于所述第一补偿线圈和第二补偿线圈之间,所述第一补偿线圈和第二补偿线圈的绕向相反,使得所述第一补偿线圈和空心磁体之间的互感与空心磁体和第二补偿线圈之间的互感相互抵消;

所述空心磁体与第一电源串联组成第一放电回路;

所述第一补偿线圈、第二补偿线圈、IGBT开关与第二电源串联组成第二放电回路;

第一电源对空心磁体放电,产生主磁场,放电到第一预定时间时,通过控制所述IGBT间断性开通和关断使得第二电源对第一补偿线圈和第二补偿线圈放电,产生补偿磁场,在第二预定时间,关断所述IGBT停止对第一补偿线圈和第二补偿线圈放电;所述主磁场和补偿磁场叠加成总磁场,所述IGBT的间断性开通和关断的占空比根据预设时间段中总磁场的磁场强度确定,以控制所述补偿磁场的强度大小,使得预设时间段中所述总磁场的磁场保持不变,形成平顶脉冲磁场,所述预定时间段为从第一预设时间到第二预设时间的时间段。

2.根据权利要求1所述的平顶脉冲磁场产生装置,其特征在于,还包括:磁场探测线圈、比较器和PID控制器;

所述磁场探测线圈实时探测总磁场的强度;

所述比较器将所述总磁场的强度对应的电压信号与参考电压比较,得到误差信号;

所述PID控制器根据所述误差信号控制所述IGBT的间断性开通和关断的占空比。

3.根据权利要求1所述的平顶脉冲磁场产生装置,其特征在于,所述第一电源为电容器电源,所述第一放电回路还包括:晶闸管开关、第一续流电阻和第一续流二极管;

所述晶闸管开关开通时,所述电容器电源对空心磁体放电,并持续至脉冲放电完成;

所述第一续流电阻和第一续流二极管串联后,并联在所述电容器电源的两端,用于在电容器电压反向时对空心磁体续流。

4.根据权利要求1所述的平顶脉冲磁场产生装置,其特征在于,所述第二电源为蓄电池电源,所述第二放电回路还包括:第二续流电阻和第二续流二极管;

所述第二续流电阻和第二续流二极管串联后,并联在所述蓄电池电源的两端,用于在IGBT关断时对第一补偿线圈和第二补偿线圈泄能。

5.根据权利要求2所述的平顶脉冲磁场产生装置,其特征在于,所述PID控制器根据所述误差信号控制所述IGBT的间断性开通和关断的占空比,PID控制器对误差信号e(t)的运算公式如下:

其中,Tduty(t)表示IGBT控制信号每个周期中的开通脉宽持续时间,Kp表示误差比例因子,KI表示误差积分因子,KD表示误差微分因子,t1表示控制起始时间,t表示当前时间。

6.一种太赫兹电磁波产生系统,其特征在于,包括:电子枪、谐振腔、如要求1至5任一项所述的平顶脉冲磁场产生装置、收集极以及输出窗;

所述电子枪的阴极发射电子注;

所述谐振腔,连接于电子枪出口处;

所述平顶脉冲磁场产生装置设置在所述谐振腔的外围,并与所述谐振腔同轴,所述平顶脉冲磁场产生装置为谐振腔提供平顶脉冲磁场,所述平顶脉冲磁场将所述电子注压缩使得所述电子注在谐振腔中激发出电磁波,所述电磁波从电子注得到能量后向输出窗方向输出;若所述平顶脉冲磁场强度在预设时间段内达到36T以上则输出的电磁波的频率可以达到1THz以上,为太赫兹电磁波;

所述收集极,连接于谐振腔的后级,用于收集作用后的电子注;

所述输出窗连接于收集极的后级,用于将所述太赫兹电磁波输出,所述太赫兹电磁波的持续时间与所述预设时间段的时间长度相关,所述太赫兹电磁波的功率为kW量级的电磁波辐射;

7.根据权利要求6所述的太赫兹电磁波产生系统,其特征在于,所述第一补偿线圈套在谐振腔的外部,所述空心磁体套在所述第一补偿线圈的外部,所述第二补偿线圈套在所述空心磁体的外部。

8.根据权利要求6所述的太赫兹电磁波产生系统,其特征在于,还包括:电子枪磁体;

所述电子枪磁体位于电子枪的外围,用于调整平顶脉冲磁场的磁场分布以压缩电子注。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811488332.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top