[发明专利]一种高功率平板EMI滤波器

权利要求书

1.一种高功率平板EMI滤波器，其特征在于，包括：复合线圈(1)、磁芯(2)、管壳(3)、盖板(4)、基板(5)、第一干扰抑制电路(61)和第二干扰抑制电路(62)；

所述复合线圈(1)为两条相互绝缘的导线绕制成的盘状结构，有4个引脚，分别为第一正输入端(111)、第一负输入端(113)、第一正输出端(122)和第一负输出端(124)；

所述磁芯(2)为管状，所述复合线圈(1)穿入所述磁芯(2)中；

所述管壳(3)为一端开口且中空的金属壳体，所述管壳(3)与开口相对的外表面的一端有3个引脚，分别为第二正输入端(311)、第二负输入端(313)和接地端(315)，另一端有2个引脚，分别为第二正输出端(322)和第二负输出端(324)，所述磁芯(2)固定在所述管壳(3)的腔体底部；

所述盖板(4)为金属板，用于密封所述管壳(3)；

所述基板(5)为印刷电路板，包括输入基板(51)和输出基板(52)，分别用于固定所述第一干扰抑制电路(61)和所述第二干扰抑制电路(62)，所述输入基板(51)固定在所述管壳(3)的腔体底部的一端，所述输出基板(52)固定在所述管壳(3)的腔体底部的另一端，所述第一正输入端(111)通过所述输入基板(51)与所述第二正输入端(311)连接，所述第一负输入端(113)通过所述输入基板(51)与所述第二负输入端(313)，所述第一正输出端(122)通过所述输出基板(52)与所述第二正输出端(322)连接，所述第一负输出端(124)通过所述输出基板(52)与所述第二负输出端(324)连接。

2.根据权利要求1所述的高功率平板EMI滤波器，其特征在于，所述第一干扰抑制电路(61)包括第一电容(611)，所述第二干扰抑制电路(62)包括第二电容(622)、第三电容(623)和第四电容(624)，所述第一电容的两端分别与所述第一正输入端(111)和第一负输入端(113)连接，所述第二电容(622)的两端分别与所述第一正输出端(122)和第一负输出端(124)连接，所述第三电容(623)和第四电容(624)串联后与所述第二电容(622)并联，所述第三电容(623)和第四电容(624)的公共端接地。

3.根据权利要求1所述的高功率平板EMI滤波器，其特征在于，所述复合线圈(1)采用寄生参数抵消法绕制。

4.根据权利要求1所述的高功率平板EMI滤波器，其特征在于，所述磁芯(2)为纳米晶矩形管状结构。

5.根据权利要求1所述的高功率平板EMI滤波器，其特征在于，所述盖板(4)焊接在所述管壳(3)的开口端，从而密封所述管壳(3)。

6.根据权利要求5所述的高功率平板EMI滤波器，其特征在于，所述盖板(4)的中间比边缘厚。

7.根据权利要求1所述的高功率平板EMI滤波器，其特征在于，所述管壳(3)和盖板(4)采用可伐合金材料，并且表面镀金。

8.根据权利要求1所述的高功率平板EMI滤波器，其特征在于，所述管壳(3)上的引脚为采用铜芯复合引线的玻璃烧结绝缘端子。