[发明专利]一种石英坩埚及控制碳酸钡用量的方法在审
申请号: | 201811444773.3 | 申请日: | 2018-11-29 |
公开(公告)号: | CN109267149A | 公开(公告)日: | 2019-01-25 |
发明(设计)人: | 陈培杰;马国瑞;霍志强;王凯;许建;郭谦;刘有益;谷守伟;高润飞;高树良 | 申请(专利权)人: | 内蒙古中环光伏材料有限公司 |
主分类号: | C30B15/10 | 分类号: | C30B15/10;C30B15/02;C30B29/06 |
代理公司: | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 栾志超 |
地址: | 010070 内蒙古自*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 石英坩埚 碳酸钡 气泡复合层 透明层 碳酸钡涂层 使用寿命 依次设置 直拉单晶 硅溶液 内表面 内壁 腐蚀 | ||
本发明提供一种石英坩埚及控制碳酸钡用量的方法,包括气泡复合层、透明层和涂层,涂层包括第一涂层和第二涂层,气泡复合层、透明层、第一涂层与第二涂层从外至内依次设置;计算所述石英坩埚的内表面面积;计算所述碳酸钡的理论重量;计算碳酸钡的实际重量。本发明的有益效果是使得石英坩埚结构简单,使用方便,便于直拉单晶时使用,具有碳酸钡涂层,减少硅溶液对石英坩埚的内壁的腐蚀,提高石英坩埚的使用寿命。
技术领域
本发明属于直拉单晶的技术领域,尤其是涉及一种石英坩埚及控制碳酸钡用量的方法。
背景技术
现有的拉晶用石英坩埚由两个部分构成,外侧是一层具有高气泡密度的区域为气泡复合层和内侧是3-5mm的透明层,从而改善单晶成晶率及品质。但是,由于硅在熔融状态下具有高度的化学活泼性,它会与石英坩埚发生反应,即SiO2+Si→2SiO,这期间,产生的氧化硅进入熔硅内,使得正在生长中的晶体结构发生改变,产生位错,从而影响单晶成晶,使得单晶质量差。
发明内容
鉴于上述问题,本发明要解决的问题是提供一种石英坩埚及控制碳酸钡用量的方法,尤其适合直拉单晶过程中使用,具有硅酸钡结构,能够减少硅溶液对石英坩埚的腐蚀,增强石英坩埚的强度,减少受热变形,提高其使用寿命。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:一种石英坩埚,包括气泡复合层、透明层和涂层,涂层包括第一涂层和第二涂层,气泡复合层、透明层、第一涂层与第二涂层从外至内依次设置。
进一步的,第一涂层为碳酸钡。
进一步的,第二涂层为硅酸钡。
进一步的,气泡复合层与透明层的厚度之和不变。
进一步的,气泡复合层的石英砂纯度小于透明层石英砂纯度。
进一步的,透明层石英砂纯度为99.9999%。
一种控制碳酸钡用量的方法,包括以下步骤,
步骤一,计算石英坩埚的内表面面积;
步骤二,计算碳酸钡的理论重量;
步骤三,计算碳酸钡的实际重量。
进一步的,在步骤三之前,还包括在取段复投时,测量取段单晶的电阻率和石英坩埚内的剩料重量。
进一步的,步骤三中碳酸钡实际重量为碳酸钡的理论重量乘以一定系数。
进一步的,系数为0.2-0.5。
本发明具有的优点和积极效果是:
由于采用上述技术方案,使得石英坩埚结构简单,使用方便,便于直拉单晶时使用,具有碳酸钡涂层,减少硅溶液对石英坩埚的内壁的腐蚀,提高石英坩埚的使用寿命;
在直拉单晶过程中,碳酸钡分解形成氧化钡,与石英坩埚内壁的透明层发生反应生成硅酸钡,该硅酸钡涂层为一层致微小的方石英结晶,减少硅溶液对石英坩埚内壁的腐蚀,增强石英坩埚的强度,减少其受热变形,同时提高了石英坩埚的使用寿命,进而提高了直拉单晶的产量;
在直拉单晶取段复投的过程中,补加碳酸钡,补充石英坩埚内壁脱落的硅酸钡涂层,以此减少硅溶液对石英坩埚内壁的腐蚀,提高石英坩埚的使用寿命,增强石英坩埚的强度,减少其受热变形,进而提高直拉单晶的产量,提高生产效率。
附图说明
图1是本发明的一实施例的结构示意图。
图中:
1、气泡复合层 2、透明层 3、涂层
具体实施方式
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