[发明专利]一种高纯石墨粉及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201811405260.1 申请日: 2018-11-23
公开(公告)号: CN109292769A 公开(公告)日: 2019-02-01
发明(设计)人: 戴煜;邓军旺;许鹏;谢煜明 申请(专利权)人: 湖南顶立科技有限公司
主分类号: C01B32/215 分类号: C01B32/215
代理公司: 北京旭路知识产权代理有限公司 11567 代理人: 姚自奇;王莹
地址: 410000 湖南省长沙市长沙经济技术*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 高纯石墨粉 纯化气体 石墨舟皿 石墨粉 提纯 制备 保温 氩气 创造条件 关键杂质 石墨提纯 原料添加 制备过程 氩气保护 含碳量 吹扫 去除
【说明书】:

发明涉及一种高纯石墨粉及其制备方法,包括如下步骤:取石墨粉原料添加于石墨舟皿中,将所述石墨舟皿安装在石墨提纯设备中,并通入氩气进行吹扫;在1200‑1800℃温度下通入纯化气体A,保温0.5‑2h;升温至2000‑2400℃时,通入纯化气体B并继续通入纯化气体A;升温至2600‑3000℃时,停止通入纯化气体A和纯化气体B,保温0.5‑2h,降温至室温,获得高纯石墨粉;其中,在整个制备过程中需要不断通入氩气保护。本发明将气热提纯和高温提纯科学结合,将石墨粉原料中的B、Al、V等关键杂质去除干净,从而获得纯度≥99.9999%的高纯石墨粉,为含碳量99.9999%以上高纯石墨粉的工业化生产创造条件,提供了一定的科学依据。

技术领域

本发明涉及石墨粉体材料技术领域,更具体地,涉及一种高纯石墨粉及其制备方法。

背景技术

近年来,半导体和电子工业的石墨用户对石墨纯度提出了非常严格的要求。为了满足半导体和电子工业行业用特殊材料的需要,石墨中某些杂质元素的含量必须控制在10-8数量级,这就对石墨粉的纯度提出了更高的要求。

石墨粉原料中含有的主要杂质成分是K、Na、Mg、Fe、Ca等的硅酸盐矿物,可以通过高温法将这部分杂质进行有效去除,但是单一的高温法只能够生产纯度在99.99%~99.999%之间的石墨粉。原因在于,高温法能实现Fe、Ca、Na等杂质及其化合物的去除,同时B、Al、V在较低温度范围内会形成高熔点、高沸点的碳化物,如B4C、VC等,这类杂质一般的高温法是无法去除的,对石墨粉的进一步提纯就是需要采取有效手段去除这些关键杂质。

发明内容

基于此,有必要针对现有技术中无法去除高熔点、高沸点的碳化物的技术问题,提供一种高纯石墨粉及其制备方法,将石墨粉纯度由99%提高到99.9999%以上,有效解决高纯石墨的提纯难题。

为解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案:

一种高纯石墨粉的制备方法,包括如下步骤:

S1、取石墨粉原料添加于石墨舟皿中,将所述石墨舟皿安装在石墨提纯设备中,并向所述石墨提纯设备中通入氩气进行吹扫;

S2、在1200-1800℃温度下通入纯化气体A,保温0.5-2h;

S3、升温至2000-2400℃时,通入纯化气体B并继续通入纯化气体A;

S4、升温至2600-3000℃时,停止通入纯化气体A和纯化气体B,保温0.5-2h,降温至室温,获得高纯石墨粉;

其中,在整个制备过程中需要不断通入氩气保护。

在其中一个实施例中,所述石墨粉原料包括针状石油焦、微晶石墨和鳞片石墨中的一种或多种。

在其中一个实施例中,在S1步骤中,所述氩气的纯度大于99.999%。

在其中一个实施例中,在S1步骤中,通入氩气的流量为20-50L/h。

在其中一个实施例中,在S2或S3步骤中,所述纯化气体A包括Cl2、HCl和CCl4中的一种或多种。

在其中一个实施例中,通入的所述纯化气体A的流量为100-300L/h。

在其中一个实施例中,在S2和S3步骤中,通入氩气的流量为100-300L/h;在S4步骤中,通入的氩气的流量为20-50L/h。

在其中一个实施例中,在S3步骤中,所述纯化气体B包括CHClF2、CCl2F2、CClF3和CF4中的一种或多种。

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