[发明专利]一种时间同步的方法、设备及存储介质有效

专利信息
申请号: 201811355259.2 申请日: 2018-11-14
公开(公告)号: CN111193567B 公开(公告)日: 2023-09-26
发明(设计)人: 陈思思 申请(专利权)人: 深圳市中兴微电子技术有限公司
主分类号: H04J3/06 分类号: H04J3/06;H04W56/00
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 彭瑞欣;张天舒
地址: 518055 广东省深*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 时间 同步 方法 设备 存储 介质
【权利要求书】:

1.一种时间同步的方法,其特征在于,所述方法包括:

在接口串并转换器SERDES并行接口中搜索数据流中的与预设码型相匹配的同步块;

确定所述同步块在所述SERDES并行接口中的比特位的位置为第一位置;

确定所述同步块中经过所述SERDES并行接口的时刻点为第一时刻点;

在物理PHY层与媒体访问控制MAC层接口中搜索所述同步块和所述数据流中的高精度时间同步PTP包,并确定所述同步块与所述PTP包之间的距离;

根据所述第一位置、所述第一时刻点和所述距离,确定第二时刻点,所述第二时刻点为所述PTP包经过SERDES串行接口的时刻点;

其中,所述在PHY层与MAC层接口中搜索所述同步块和所述数据流中的PTP包,并确定所述同步块与所述PTP包之间的距离,包括:

确定所述同步块的第一个比特在所述PHY层与MAC层接口中对应的比特位的位置为第二位置;

确定所述PTP包的第一个比特在所述PHY层与MAC层接口中对应的比特位的位置第三位置;

根据所述第二位置和所述第三位置,确定所述同步块的第一个比特与所述PTP包的第一个比特之间间隔的比特数;

将所述间隔的比特数确定为所述同步块与所述PTP包之间的距离。

2.根据权利要求1的方法,其特征在于,所述确定所述同步块在所述SERDES并行接口中的比特位的位置为第一位置,包括:确定所述同步块中的第一个比特在所述SERDES并行接口中的比特位的位置为第一位置;

所述确定所述同步块中经过所述SERDES并行接口的时刻点为第一时刻点,包括:确定所述同步块中的第一个比特经过所述SERDES并行接口的时刻点为第一时刻点;

对应地,所述第二时刻点为所述PTP包中的第一个比特经过SERDES串行接口的时刻点。

3.根据权利要求2的方法,其特征在于,所述确定所述同步块中的第一个比特经过所述SERDES并行接口的时刻点为第一时刻点,包括:

将采用计时时钟的上升沿确定的所述同步块中的第一个比特经过所述SERDES并行接口的时刻点,确定为第三时刻点;

将采用计时时钟的下升沿确定的所述同步块中的第一个比特经过所述SERDES并行接口的时刻点,确定为第四时刻点;

将所述第三时刻点和第四时刻点中的较小值,作为所述第一时刻点。

4.根据权利要求1的方法,其特征在于,所述根据所述第一位置、所述第一时刻点和所述距离,确定第二时刻点,包括:

将所述距离对应的比特数分别按照M个预设比例调整,将得到的M个调整后的数值作为数值集,M为大于1的整数;

从所述数值集中,确定与PHY层与MAC层接口中介质无关MII接口的类型相匹配的比特数为匹配比特数;

根据所述匹配比特数、所述第一时刻点和所述第一位置,确定所述第二时刻点。

5.根据权利要求4的方法,其特征在于,所述根据所述匹配比特数、所述第一时刻点和所述第一位置,确定所述第二时刻点,还包括:

将预设比特数按照所述第一位置对应的比特数进行调整,得到第一比特数;其中,所述预设比特数为所述SERDES并行接口的位宽;

根据所述匹配比特数和所述第一比特数,确定第二比特数;其中,所述第二比特数为在SERDES串行接口中,同步块的第一个比特与所述PTP包的第一个比特之间间隔的比特数;

将SERDES串行接口对应的标准速率按照速率偏差量进行调整,得到所述第二比特数在所述SERDES串行接口中传输的实际速率;其中,所述速率偏差量为所述SERDES串行接口中的实际比特速率与所述SERDES串行接口的标准比特速率之间的差值;

将所述第二比特数与所述实际速率相除,得到第一延时;其中,所述第一延时为,所述PTP包的第一个比特经过SERDES串行接口的时刻点与所述同步块第一比特经过SERDES串行接口的时刻点之间的时间段;

根据所述第一延时、所述第一时刻点和所述同步块从SERDES串行接口到所述SERDES并行接口对应的延时,确定所述第二时刻点。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市中兴微电子技术有限公司,未经深圳市中兴微电子技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811355259.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top