[发明专利]磁传感器有效

专利信息
申请号: 201811329101.8 申请日: 2018-11-09
公开(公告)号: CN109764796B 公开(公告)日: 2021-05-14
发明(设计)人: 渡部司也 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: G01B7/00 分类号: G01B7/00;G01B7/02;G01D5/12
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦;陈明霞
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 传感器
【说明书】:

本发明涉及一种磁传感器,所述磁传感器至少包括:元件部,其是细长的并具有磁阻效应;以及软磁性体,其在所述元件部的相对于短轴方向的两侧夹持所述元件部。随着在长轴方向上与所述元件部的相对于所述长轴方向的中心部相距的距离增加,所述元件部的相对于所述元件部的长轴方向的两个端部中的至少一个的宽度逐渐减少。

技术领域

本申请要求基于2017年11月9日提交的JP申请号2017-216488号的优先权,所述专利申请的公开内容通过引用以其整体并入本文。

本发明涉及一种磁传感器。

背景技术

作为用于检测移动对象的位置的传感器,已知有具有带磁阻效应的元件的磁传感器(参见JPH11-87804)。磁传感器相对于磁体移动并由此检测由磁体产生的外部磁场中的变化,并且基于所检测的外部磁场中的变化来计算移动对象的移动距离。

在JPH11-87804中公开的磁传感器如其图1所示具有表现出磁阻效应的巨磁阻薄膜和软磁性薄膜。在磁传感器中,巨磁阻薄膜是细长的,并且在巨磁阻薄膜的相对于其短轴方向的两侧设置软磁性薄膜。沿厚度方向观察时,巨磁阻薄膜是矩形的。在该磁传感器中,对磁场的灵敏度较差的巨磁阻薄膜与软磁性薄膜相结合以增强对磁场的灵敏度。

发明内容

如JPH11-87804中所公开的,通过在巨磁阻薄膜的两侧上设置软磁性薄膜来增强巨磁阻薄膜的灵敏度。在这种布置中,随着软磁性薄膜(软磁性体)的宽度变大,磁传感器的灵敏度增强。

然而,随着软磁性薄膜(软磁性体)的宽度变大,在磁场中沿巨磁阻薄膜的垂直于磁敏轴(在这种情况下,是巨磁阻薄膜的短轴方向)的长轴方向的输出噪声增加。

本发明的目的在于提供一种具有细长元件部的磁传感器,所述细长元件部能够减少沿元件部的长轴方向的输出噪声。

本发明的磁传感器至少包括:元件部,其是细长的并具有磁阻效应;以及软磁性体,其在相对于所述元件部的短轴方向的两侧夹持所述元件部。随着在长轴方向上与所述元件部的相对于所述长轴方向的中心部相距的距离增加,所述元件部的相对于所述元件部的长轴方向的两个端部中的至少一个的宽度逐渐减少。

根据本发明,可以提供一种具有细长元件部的磁传感器,所述细长元件部能够减少沿元件部的长轴方向的输出噪声。

参考示出本发明示例的附图,根据以下的描述,本发明的上述和其它目的、特征和优点将变得显而易见。

附图说明

图1A是根据一个实施例的磁传感器的主要部分的平面图;

图1B是根据该实施例的磁传感器的电路图;

图1C是构成根据该实施例的磁传感器的主要部分的元件部的截面图;

图2是比较例的磁传感器的主要部分的平面图,示出了产生输出噪声的机构;

图3是示出该实施例和比较例的传感器的施加磁场的持续时间与输出变化之间的关系的曲线图;

图4是根据第一变形例的磁传感器的主要部分的平面图;

图5是根据第二变形例的磁传感器的主要部分的平面图;以及

图6A至图6E分别是根据第三至第七变形例的磁传感器的主要部分的平面图。

具体实施方式

将给出关于一个实施例以及对该实施例的变形例的说明。在以下描述中,元件部20的中心部21和两个端部22是相对于元件部的长轴方向限定的。因此,中心部21是指元件部20的相对于长轴方向的中心部;端部22是指元件部20的相对于长轴方向的端部。此外,在以下描述中,元件部20和端部22的宽度是相对于元件部的短轴方向限定的。因此,元件部20和端部22的宽度分别是指元件部20和端部22相对于元件部的短轴方向的宽度。

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