[发明专利]一种仿生纳米孔道的修饰方法以及仿生纳米孔道及其应用

权利要求书

1.一种仿生纳米孔道的修饰方法，其特征在于，包括以下步骤：

将具有仿生纳米孔道的基底置于效用型聚电解质溶液和配对聚电解质溶液之间；其中，所述仿生纳米孔道的内表面带有电荷；效用型聚电解质和配对聚电解质具有相反的电荷；

在电场诱导下，所述效用型聚电解质和配对聚电解质在仿生纳米孔道内通过电交联作用实现自组装，并完成对仿生纳米孔道的修饰；

诱导效用型聚电解质和配对聚电解质分别向纳米孔道内发生扩散的电场，其电极分别与两种聚电解质所带电荷种类相同；

所述仿生纳米孔道为两端孔径大小不一致的非对称仿生纳米孔道；所述非对称仿生纳米孔道孔径小的一端朝向效用型聚电解质溶液一侧，所述非对称仿生纳米孔道孔径大的一端朝向配对聚电解质溶液一侧。

2.根据权利要求1所述的仿生纳米孔道的修饰方法，其特征在于，所述具有仿生纳米孔道的基底材料包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺或聚碳酸酯。

3.根据权利要求1或2所述仿生纳米孔道的修饰方法，其特征在于，所述修饰方法进一步包括在基底上形成仿生纳米孔道的步骤。

4.根据权利要求3所述仿生纳米孔道的修饰方法，其特征在于，在所述基底上形成仿生纳米孔道的步骤采用的方法包括径迹刻蚀法、模板法、离子束刻蚀法或电子束刻蚀法。

5.根据权利要求1所述仿生纳米孔道的修饰方法，其特征在于，所述非对称仿生纳米孔道的孔径为5nm-800nm。

6.根据权利要求5所述仿生纳米孔道的修饰方法，其特征在于，所述非对称仿生纳米孔道的大孔端孔径为300nm-800nm。

7.根据权利要求5所述仿生纳米孔道的修饰方法，其特征在于，所述非对称仿生纳米孔道的大孔端孔径为300nm-800nm，小孔端孔径为5nm-80nm。

8.根据权利要求1所述仿生纳米孔道的修饰方法，其特征在于，所述效用型聚电解质包括合成聚电解质或生物大分子聚电解质；所述配对聚电解质包括合成聚电解质或生物大分子聚电解质。

9.根据权利要求1所述仿生纳米孔道的修饰方法，其特征在于，所述效用型聚电解质选自聚二烯丙基二甲基氯化铵或经对氨基苯硼酸修饰的聚丙烯酸钠中的一种，所述配对聚电解质选自聚苯乙烯磺酸钠、聚丙烯胺盐酸盐、单链DNA分子中的一种。

10.根据权利要求9所述仿生纳米孔道的修饰方法，其特征在于，当所述效用型聚电解质为聚二烯丙基二甲基氯化铵时，所述配对聚电解质为聚苯乙烯磺酸钠或单链DNA分子。

11.根据权利要求9所述仿生纳米孔道的修饰方法，其特征在于，当所述效用型聚电解质为经对氨基苯硼酸修饰的聚丙烯酸钠时，所述配对聚电解质为聚丙烯胺盐酸盐。

12.根据权利要求1所述仿生纳米孔道的修饰方法，其特征在于，所述效用型聚电解质溶液的质量浓度为0.01%-10%，所述配对聚电解质溶液的质量浓度为0.01%-10%。

13.根据权利要求1所述仿生纳米孔道的修饰方法，其特征在于，所述效用型聚电解质溶液与所述配对聚电解质溶液的质量浓度比为1:0.5-2。

14.一种如权利要求1-13任一所述仿生纳米孔道的修饰方法制备得到的仿生纳米孔道。

15.一种如权利要求14所述仿生纳米孔道在制备纳流器件方面的应用。