[发明专利]一种半导体器件的等效模型建立方法、装置及终端设备有效
申请号: | 201811308744.4 | 申请日: | 2018-11-05 |
公开(公告)号: | CN109388911B | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 卓恩宗;莫琼花 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司 |
主分类号: | G06F30/20 | 分类号: | G06F30/20 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 高星 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体器件 等效 模型 建立 方法 装置 终端设备 | ||
1.一种半导体器件的等效模型建立方法,其特征在于,包括:
获取分块单元的每个半导体器件在外加电压时的特征数据;其中,所述分块单元为半导体器件尺寸阵列中提取的一个方块,每个半导体器件为所述分块单元中一个顶点处的尺寸对应的器件,每个所述分块单元与相邻的分块单元共用两个顶点,两个顶点处的半导体器件也为两个分块单元的共用器件;
根据每个半导体的所述特征数据,分别建立每个半导体器件的模型卡;
根据所述分块单元的每个半导体的所述模型卡,建立在所述尺寸阵列范围内的所有半导体器件的等效模型;
所述获取分块单元的每个半导体器件在外加电压时的特征数据;其中,所述分块单元为半导体器件尺寸阵列中提取的一个方块,每个半导体器件为所述分块单元中一个顶点处的尺寸对应的器件,包括:
获取每个半导体器件在不同漏极电压时,漏源极电流值随栅源极电压差的变化曲线,以确定第一特征数据;
获取每个半导体器件在不同栅极电压时,漏源极电流值随漏源极电压差的变化曲线,以确定第二特征数据;
所述根据每个半导体的所述特征数据,分别建立每个半导体器件的模型卡,包括:
根据所述第一特征数据获取所述模型卡中的第一模型参数,所述第一模型参数为参与建立在所述尺寸阵列范围内的所有半导体器件的等效模型的参数;所述模型卡通过对变化曲线不同区域的特征提取以及曲线拟合建立得到;
所述根据所述分块单元的每个半导体的所述模型卡,建立在所述尺寸阵列范围内的所有半导体器件的等效模型,包括:
根据所述第一模型参数和插值公式对所述半导体器件的模型卡进行融合,所述插值公式为:
根据分块单元顶点处的半导体的沟道长度值、沟道宽度值以及第一模型参数,确定第二模型参数Q、第二模型参数在半导体器件沟道长度方向的因素值LQ、第二模型参数在半导体器件沟道宽度方向的因素值WQ以及第二模型参数在半导体器件沟道对角线方向的因素值PQ,以获取半导体器件的等效模型;
其中,q为第一模型参数,即参与半导体器件的模型卡融合时的参数;
Q为第二模型参数,即根据插值公式融合后获取的等效模型中,待验尺寸的半导体器件对应的参数值;
LQ为第二模型参数在半导体器件沟道长度方向的因素值;WQ为第二模型参数在半导体器件沟道宽度方向的因素值;PQ为第二模型参数在半导体器件沟道对角线方向的因素值;
L为半导体器件的沟道长度值,W为半导体器件的沟道宽度值,单位为微米。
2.如权利要求1所述的半导体器件的等效模型建立方法,其特征在于,所述漏极电压的取值范围为0.5V~30V;所述栅极电压的取值范围为5V~30V。
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