[发明专利]一种适用于智能电网保护系统的非接触式电流测量装置有效
申请号: | 201811308718.1 | 申请日: | 2018-11-05 |
公开(公告)号: | CN109444510B | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 黄琦;陈亚锋;赫瓦贾.阿尔萨兰.哈比卜;井实;李坚;张真源;胡维昊;蔡东升;易建波 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G01R19/00 | 分类号: | G01R19/00 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 温利平 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 适用于 智能 电网 保护 系统 接触 电流 测量 装置 | ||
1.一种适用于智能电网保护系统的非接触式电流测量装置,其特征在于,包括:
三组隧穿磁阻效应传感器阵列即三组TMR传感器阵列,每组TMR传感器阵列由两个磁敏感平行,但方向相反的TMR传感器组成;
三组TMR传感器阵列分布于同一个圆上,TMR传感器阵列之间相角为120°,每组TMR传感器阵列都与所述圆的切线平行,每组磁传感器阵列到所述圆的圆心距离相等;
每组TMR传感器阵列内外两个TMR传感器均距离圆心分别为R1和R2的测量点位置,用于测量载流导体产生磁场在测量点位置的磁通密度大小;
需要进行测量的载流导体位于所述圆的圆心位置,三组TMR传感器阵列中,第一组TMR传感器阵列内外两个TMR传感器测得的磁通密度为B11、B12,第二组TMR传感器阵列内外两个TMR传感器测得的磁通密度为B21、B22,第三组TMR传感器阵列内外两个TMR传感器测得的磁通密度为B31、B32;
所述需要进行测量的载流导体电流I1通过求解以下方程组获得:
其中,μ0为磁导率,x1、y1为需要进行测量的载流导体所在位置的坐标。
2.根据权利要求1所述的非接触式电流测量装置,其特征在于,所述第一组TMR传感器阵列位于所述圆的圆心与产生干扰电流的载流导体的连线上。
3.根据权利要求1所述的非接触式电流测量装置,其特征在于,根据所述的方程组,获得需要进行测量的载流导体所在位置的坐标x1、y1。
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