[发明专利]一种移位寄存器单元、栅极驱动电路和显示装置有效

专利信息
申请号: 201811301619.0 申请日: 2018-11-02
公开(公告)号: CN109285505B 公开(公告)日: 2020-06-23
发明(设计)人: 张盛东;雷腾腾;廖聪维;黄杰 申请(专利权)人: 北京大学深圳研究生院
主分类号: G09G3/3266 分类号: G09G3/3266;G09G3/36;G11C19/28
代理公司: 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 代理人: 郭燕;彭家恩
地址: 518055 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 移位寄存器 单元 栅极 驱动 电路 显示装置
【权利要求书】:

1.一种移位寄存器单元,其特征在于,包括输入模块(21)、反相器模块(22)、下拉模块(23)、输出模块(24)和低电平维持模块(25);

还包括:

第一信号输入端,用于接收第一时钟信号(CLK);

第二信号输入端,用于接收第二脉冲信号(RST);

第三信号输入端,用于接收行扫描信号(OUTn-1);

第四信号输入端, 用于接收级联控制信号(COUTn-1);

第一信号输出端,用于输出行扫描信号(OUTn);

第二信号输出端,用于输出级联控制信号(COUTn);

第一电位输入端,用于第一低电位(VSSL)的输入;

第二电位输入端,用于第二低电位(VSS)的输入;

第三电位输入端,用于第一高电位(VGH)的输入;

第一内部节点(Q),是所述输入模块(21)和所述下拉模块(23)、所述输出模块(24)之间的连接节点;

第二内部节点(QB),是所述反相器模块(22)和所述下拉模块(23)之间的连接节点;

所述输入模块(21)连接在第三信号输入端、第四信号输入端和第一内部节点(Q)之间,用于对所述第一内部节点(Q)进行预充电;

所述反相器模块(22)连接在第二信号输入端、第四信号输入端、第一电位输入端、第三电位输入端和第二信号输出端之间,用于在所述第二内部节点(QB)产生与所述第一内部节点(Q)反相的电信号;

所述下拉模块(23)连接在第一内部节点(Q)、第二内部节点(QB)、第一电位输入端和第二信号输出端之间,用于将所述第一内部节点(Q)的电位降至第一电位(VSSL);

所述输出模块(24)连接在第一信号输入端、第一内部节点(Q)、第一信号输出端和第二信号输出端之间,用于输出级联控制信号(COUTn)和输出行扫描信号(OUTn);

所述低电平维持模块(25)连接在第二内部节点(QB)、第二电位输入端、第一信号输出端和第二信号输出端之间,用于将第一信号输出端和第二信号输出端的电位分别降至第二电位(VSS)和第一电位(VSSL);

所述反相器模块(22)包括第十晶体管(T21)、第十三晶体管(T24)、第十四晶体管(T25)和第十五晶体管(T26);所述第十三晶体管(T24)的控制极与所述第二信号输入端连接;所述第十三晶体管(T24)和所述第十四晶体管(T25)的第一极与所述第三电位输入端连接;所述第十三晶体管(T24)和所述第十四晶体管(T25)的第二极与所述第二内部节点(QB)连接;所述第十四晶体管(T25)的控制极和第二极连接;所述第十晶体管(T21)的控制极与所述第四信号输入端连接;所述第十晶体管(T21)的第一极与所述第二内部节点(QB)连接;所述第十晶体管(T21)的第二极与所述第一电位输入端连接;所述第十五晶体管(T26)的控制极与所述第二信号输出端连接;所述第十五晶体管(T26)的第一极与所述第二内部节点(QB)连接;所述第十五晶体管(T26)的第二极与所述第一电位输入端连接;

或,所述反相器模块(22)包括第十晶体管(T21)、第十三晶体管(T24)和第十五晶体管(T26);所述第十晶体管(T21)的控制极与所述第四信号输入端连接;所述第十晶体管(T21)的第二极与所述第一电位输入端连接;所述第十三晶体管(T24)是双控制极晶体管,包括第一控制极和第二控制极;所述第十三晶体管(T24)的第一控制极与所述第二信号输入端连接;所述第十三晶体管(T24)的第二控制极与所述第十三晶体管(T24)的第二极连接,并与第二内部节点(QB)连接;所述第十三晶体管(T24)的第一极与所述第三电位输入端连接;所述第十五晶体管(T26)的控制极与所述第二信号输出端连接;所述第十五晶体管(T26)的第一极与所述第二内部节点(QB)连接;所述第十五晶体管(T26)的第二极与所述第一电位输入端连接;

或,所述反相器模块(22)包括第十晶体管(T21)、第十一晶体管(T22)、第十二晶体管(T23)、第十三晶体管(T24)和第十五晶体管(T26);

所述第十晶体管(T21)和所述第十二晶体管(T23)的控制极与所述第四信号输入端连接;所述第十晶体管(T21)的第一电极与所述第二内部节点(QB)连接;所述第十晶体管(T21)的第二电极与所述第一电位输入端连接;所述第十二晶体管(T23)的第二电极与所述第二内部节点(QB)连接;所述第十二晶体管(T23)的第一电极和所述第十一晶体管(T22)的第二电极连接;所述第十一晶体管(T22)的控制极与所述第二信号输入端连接;所述第十一晶体管(T22)的第一电极与所述第三电位输入端连接;所述第十三晶体管(T24)是双控制极晶体管,包括第一控制极和第二控制极;所述第十三晶体管(T24)的第一控制极和所述第十一晶体管(T22)的第二极连接;所述第十三晶体管(T24)的第二控制极和所述第十三晶体管(T24)的第二电极连接,并与所述第二内部节点(QB)连接;所述第十三晶体管(T24)的第一电极与所述第三电位输入端连接;所述第十五晶体管(T26)的控制极与所述第二信号输出端连接;所述第十五晶体管(T26)的第一极与所述第二内部节点(QB)连接;所述第十五晶体管(T26)的第二极与所述第一电位输入端连接;

或,所述反相器模块(22)包括第十晶体管(T21)、第十一晶体管(T22)、第十二晶体管(T23)、第十三晶体管(T24)、第十四晶体管(T25)和第十五晶体管(T26);

所述第十晶体管(T21)和所述第十二晶体管(T23)的控制极与所述第四信号输入端连接;所述第十晶体管(T21)的第一电极与所述第二内部节点(QB)连接;所述第十晶体管(T21)的第二电极与所述第一电位输入端连接;所述第十二晶体管(T23)的第二电极与所述第二内部节点(QB)连接;所述第十二晶体管(T23)的第一电极和所述第十一晶体管(T22)的第二极连接;所述第十一晶体管(T22)的控制极与所述第二信号输入端连接;所述第十一晶体管(T22)的第一电极与所述第三电位输入端连接;所述第十三晶体管(T24)的控制极与所述第十一晶体管(T22)的第二极连接;所述第十三晶体管(T24)的第一极与所述第三电位输入端连接;所述第十三晶体管(T24)的第二极与所述第二内部节点(QB)连接;所述第十四晶体管(T25)的第一极和所述第十一晶体管(T22)的第二极连接;所述第十四晶体管(T25)的第二极与所述第三电位输入端连接;所述第十四晶体管(T25)的控制极与所述第二内部节点(QB)或所述第十一晶体管(T22)的第二极连接;所述第十五晶体管(T26)的控制极与所述第二信号输出端连接;所述第十五晶体管(T26)的第一极与所述第二内部节点(QB)连接;所述第十五晶体管(T26)的第二极与所述第一电位输入端连接;

或,所述反相器模块(22)包括第十晶体管(T21)、第十一晶体管(T22)、第十二晶体管(T23)、第十三晶体管(T24)和第十五晶体管(T26);

所述第十晶体管(T21)是双控制极晶体管,包括第一控制极和第二控制极;所述第十晶体管(T21)的第一控制极和所述第十二晶体管(T23)的控制极与所述第四信号输入端连接;所述第十晶体管(T21)的第二控制极与所述第一内部节点(Q)连接;所述第十晶体管(T21)的第一电极与所述第二内部节点(QB)连接;所述第十晶体管(T21)的第二电极与所述第一电位输入端连接;所述第十二晶体管(T23)的第二电极与所述第二内部节点(QB)连接;所述第十二晶体管(T23)的第一电极和所述第十一晶体管(T22)的第二极连接;所述第十一晶体管(T22)的控制极与所述第二信号输入端连接;所述第十一晶体管(T22)的第一电极与所述第三电位输入端连接;所述第十三晶体管(T24)是双控制极晶体管,包括第一控制极和第二控制极;所述第十三晶体管(T24)的第一控制极和所述第十一晶体管(T22)的第二极连接;所述第十三晶体管(T24)的第二控制极和所述第十三晶体管(T24)的第二电极连接,并与所述第二内部节点(QB)连接;所述第十三晶体管(T24)的第一电极与所述第三电位输入端连接;所述第十五晶体管(T26)是双控制极晶体管,包括第一控制极和第二控制极;所述第十五晶体管(T26)的第一控制极与所述第二信号输出端连接;所述第十五晶体管(T26)的第二控制极与所述第一内部节点(Q)连接;所述第十五晶体管(T26)的第一电极与所述第二内部节点(QB)连接;所述第十晶体管(T21)的第二电极与所述第一电位输入端连接。

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