[发明专利]用于生化检测的检测系统

权利要求书

1.用于生化检测的检测系统，所述检测系统使用MOSFET型微薄膜传感器，所述MOSFET型微薄膜传感器的特征在于：包括基底、设置在基底上的镂空部分、位于镂空部分内的微薄膜、四个支撑微悬臂梁和支撑微悬臂梁上的MOSFET输出结构；四个支撑微悬臂梁相互对称设置，其一端与微薄膜相连，另一端与外部基底相连后固定，四个支撑微悬臂梁上的MOSEFET输出结构为一对对称设置的PMOS结构以及一对对称设置的NMOS结构；

微薄膜传感器的支撑微悬臂梁上的MOSFET输出NMOS1、PMOS1、NMOS2、PMOS2，其中，NMOS1栅级接正电压Vg，漏极接正电压VDD，源级通过电阻R1接到地，输出电压为VNMOS1；PMOS1栅级接负电压Vg，漏极接负电压-VDD，源级通过电阻R2接到地，输出电压为VPMOS1；

NMOS2栅级接正电压Vg，漏极接正电压VDD，源级通过电阻R4接到地，输出电压为VNMOS2；PMOS2栅级接负电压Vg，漏极接负电压-VDD，源级通过电阻R3接到地，输出电压为VPMOS2；

VNMOS1和VPMOS2接入仪表放大器IC1，仪表放大器IC1放大倍数由电阻Rg决定，VPMOS1和VNMOS2接入仪表放大器IC2，仪表放大器IC2放大倍数由电阻Rg决定，仪表放大器IC1、IC2输出通过仪表放大器IC3构成的求和电路进行求和，输出最终信号Vout。

2.如权利要求1所述的用于生化检测的检测系统，其特征在于：所述微薄膜成份为硅或二氧化硅或氮化硅，微薄膜厚度小于1.5微米，微薄膜为正方形或圆形。

3.如权利要求1所述的用于生化检测的检测系统，其特征在于：所述四个支撑微悬臂梁为长方形，长宽厚尺寸均为微米级别，支撑微悬臂梁成份为硅或二氧化硅或氮化硅。

4.如权利要求1所述的用于生化检测的检测系统，其特征在于：所述四个支撑微悬臂梁上的MOSFET输出金属电极通过硅或二氧化硅或氮化硅进行绝缘封装。

5.如权利要求1所述的用于生化检测的检测系统，其特征在于：所述NMOS结构包括P型硅基底，N型漏极D和源极S，多晶硅构成的栅极G，漏极D、源极S和栅极G引出的金属电极为铝或者金，并且由SiO₂进行绝缘处理。

6.如权利要求1所述的用于生化检测的检测系统，其特征在于：所述PMOS结构包括N型硅基底，P型漏极D和源极S，多晶硅掺杂WSix构成的栅极G，漏极D、源极S和栅极G引出的金属电极为铝或者金，并且由SiO₂进行绝缘处理。

7.如权利要求1所述的用于生化检测的检测系统，其特征在于：所述MOSFET型微薄膜传感器采用MEMS工艺制作。