[发明专利]体外控制人工骨骼降解速度的装置、降解方法、人工骨骼

权利要求书

1.一种体外控制人工骨骼降解速度的装置，其特征在于，包括：

可变电阻器以及佩戴组件，所述佩戴组件包括用于产生交变磁场的金属线以及绝缘纺织层，所述绝缘纺织层包覆在所述金属线的外部，所述金属线与所述可变电阻器串联连接。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括：

控制组件，所述控制组件与所述可变电阻器相连，所述控制组件被配置为调节所述可变电阻器的电阻值。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述金属线呈螺旋状排布。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述可变电阻器的电阻值范围为0-200Ω。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，形成所述金属线的材料包括铜、铝以及金的至少之一。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括交流电源，所述交流电源与所述可变电阻器以及所述金属线串联连接。

7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述佩戴组件包括容置空间，所述容置空间由所述金属线以及所述绝缘纺织层限定形成。

8.一种利用权利要求1-7任一项所述的装置原位降解人工骨骼的方法，其特征在于，包括：

调节所述可变电阻器的电阻值，以控制所述装置的交变磁场强度，以控制所述人工骨骼的降解速度。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，调节所述可变电阻器的电阻值，以控制所述装置的交变磁场强度包括：

根据所述人工骨骼的预定降解速度，确定所述装置的交变磁场强度，并依据所述装置的交变磁场强度，确定所述可变电阻器的电阻值，

其中，所述人工骨骼的降解速度与所述装置的交变磁场强度成正比，所述装置的交变磁场强度与所述可变电阻器的电阻值成反比。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述人工骨骼为表面设置有保护膜的镁合金骨骼，所述方法进一步包括：

根据所述保护膜的降解速度，调节所述可变电阻器的电阻值。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，降解所述保护膜之后包括：

根据所述镁合金骨骼的预定降解速度，调高所述可变电阻器的电阻值。

12.一种可利用权利要求1-7任一项所述的装置进行降解的人工骨骼，其特征在于，包括：

钛合金骨骼以及表面设置有保护膜的镁合金骨骼。

13.根据权利要求12所述的人工骨骼，其特征在于，所述保护膜通过钝化处理形成。

14.根据权利要求13所述的人工骨骼，其特征在于，所述钝化处理包括无氧环境下的加热处理以及纯氧环境下的氧化处理。

15.根据权利要求14所述的人工骨骼，其特征在于，所述加热处理的温度为200-300摄氏度，所述氧化处理的时间为2-3小时。