[发明专利]一种基于MOS管的CPU供电驱动控制电路及其控制开关有效

专利信息
申请号: 201811239321.1 申请日: 2018-10-23
公开(公告)号: CN111084426B 公开(公告)日: 2022-11-11
发明(设计)人: 刘建福;钟科军;郭小义;黄炜;尹新强;易建华;邢立立;王艳涛 申请(专利权)人: 湖南中烟工业有限责任公司
主分类号: A24F47/00 分类号: A24F47/00;G06F1/26
代理公司: 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 代理人: 龚燕妮
地址: 410014 湖南省*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 mos cpu 供电 驱动 控制电路 及其 控制 开关
【权利要求书】:

1.一种基于MOS管的CPU供电驱动控制电路,其特征在于,包括:

用于CPU供电通断的外部控制连接端口、利用MOS管用于CPU供电通断的内部控制连接端口与控制端口、用于和滤波电容连接的CPU短时运行维持端口、用于检查CPU通断电的外部控制通断的检测输入端以及用于驱动CPU供电通断的内部控制的驱动端;

所述用于CPU供电通断电的外部控制连接端口的两个连接端子分别与电池正极、用于检查CPU通断电的外部控制通断的检测输入端相连;

所述用于检查CPU通断电的外部控制通断的检测输入端和用于驱动CPU供电通断的内部控制的驱动端之间设置有二极管;

所述利用MOS管用于CPU供电通断的内部控制连接端口的两个连接端子分别与电池正极、CPU供电电源端相连,且利用MOS管用于控制CPU供电通断的内部控制的控制端与用于驱动CPU供电通断的内部控制的驱动端相连;

包括用于CPU供电通断的内部控制的PMOS管、NMOS管以及第一降压电阻;所述PMOS管的源极和漏极分别与电池正极、CPU供电电源端相连,且第一降压电阻的两端设置于所述PMOS管的源极和栅极之间 ,所述PMOS管的栅极与NMOS管的漏极相连,所述NMOS管的栅极与所述用于驱动CPU供电通断的内部控制的驱动端相连,所述NMOS管的源极接地;

所述滤波电容分别与CPU供电输入端、地连接, 所述用于和滤波电容连接的CPU短时运行的维持端口与CPU供电输入端连接;

所述用于检查CPU通断电的外部控制通断的检测端口通过对用于CPU供电通断电的外部控制连接端口的信号检测,通过用于驱动CPU供电通断的内部控制的驱动端口输出高电平或低电平至利用MOS管用于CPU供电通断的内部控制的控制端口。

2.根据权利要求1所述的驱动控制电路,其特征在于,当用于CPU供电通断电的外部控制连接端口闭合时 ,NMOS管栅极电压上升,NMOS管导通,使得PMOS管导通,打开CPU供电回路;

当用于检查CPU通断电的外部控制通断的检测输入端检测到CPU供电通断电的外部控制连接端口产生CPU供电打开信号时,用于驱动CPU供电通断的内部控制的驱动端输出高电平,维持NMOS管导通,使得PMOS管导通,CPU供电电源为CPU供电 ;

当用于检查CPU通断电的外部控制通断的检测输入端检测到CPU供电通断电的外部控制连接端口产生CPU供电断开信号时,用于驱动CPU供电通断的内部控制的驱动端输出低电平,控制NMOS管断开,使得PMOS管断开,CPU供电电源停止为CPU供电。

3.根据权利要求2所述的驱动控制电路,其特征在于,所述用于驱动CPU供电通断的内部控制的驱动端与NMOS管的栅极之间设置有第二降压电阻。

4.根据权利要求2所述的驱动控制电路,其特征在于,所述用于CPU供电通断电的外部控制连接端口之间产生的CPU供电打开和断开信号分别为不同波形的高低脉冲信号。

5.一种基于权利要求1-4任一项所述的驱动控制电路的控制开关,其特征在于,包括用于产生两种波形的高低脉冲信号的触发开关和短时维持滤波电容;所述触发开关的两端连接于所述CPU供电通断电的外部控制连接端口之间;所述短时维持滤波电容连接于所述CPU供电输入端和地之间。

6.根据权利要求5所述的控制开关,其特征在于,所述触发开关为轻触开关。

7.根据权利要求5所述的控制开关,其特征在于,所述短时维持滤波电容的容量为1-3μF。

8.一种基于权利要求6或7所述控制开关控制的电子烟,其特征在于,包括:

用于提供电能的电池、用于电子烟雾化或加热的模块以及用于控制电子烟雾化或加热工作的CPU;

所述用于提供电能的电池的正极与所述用于CPU供电通断的外部控制连接端口的一端相连,负极接地;

所述用于雾化或加热的模块的供电端与所述用于控制电子烟雾化或加热工作的CPU的供电输出端相连。

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