[发明专利]抗干扰性能的电化学晶体管传感器及其抗干扰方法、应用

权利要求书

1.提高电化学晶体管传感器的抗干扰性能的方法，所述电化学晶体管传感器包括源极、漏极和栅极，源极、漏极之间为该电化学晶体管传感器沟道，其特征在于在沟道上设有Nafion薄膜保护层和/或壳聚糖薄膜保护层，或者在栅极外面套设下端带有微孔陶瓷的砂芯玻璃管，将沟道或栅极分离以屏蔽电化学晶体管传感器对干扰物质的响应；

所述Nafion薄膜保护层是通过滴涂Nafion溶液的方法在沟道上形成一层Nafion薄膜保护层；其中，Nafion溶液的质量百分比为0.1-5wt％，用量为3-50μL/3mm²；

所述壳聚糖薄膜保护层是通过滴涂壳聚糖溶液的方法在沟道上形成一层壳聚糖薄膜保护层；其中，壳聚糖溶液以0.1-2wt％的乙酸溶液作为溶剂，浓度为40-60mg/mL，用量为3-20μL/mm²。

2.一种抗干扰性能的电化学晶体管传感器，所述电化学晶体管传感器包括源极、漏极和栅极，其特征在于在沟道上设有Nafion薄膜保护层和/或壳聚糖薄膜保护层，或者在栅极外面套设下端带有微孔陶瓷的砂芯玻璃管；

所述Nafion薄膜保护层是通过滴涂Nafion溶液的方法在沟道上形成一层Nafion薄膜保护层；其中，Nafion溶液的质量百分比为0.1-5wt％，用量为3-50μL/3mm²；

所述壳聚糖薄膜保护层是通过滴涂壳聚糖溶液的方法在沟道上形成一层壳聚糖薄膜保护层；其中，壳聚糖溶液以0.1-2wt％的乙酸溶液作为溶剂，浓度为40-60mg/mL，用量为3-20μL/mm²。

3.根据权利要求2所述的一种抗干扰性能的电化学晶体管传感器，其特征在于所述源极、漏极设置在金层和铬层上，金层重叠于铬层上方，源极、漏极之间为该电化学晶体管传感器沟道，沟道为湿法转移的物理气相生长的单层石墨烯，栅极为金和石墨烯共沉积修饰的玻碳电极。

4.权利要求2所述抗干扰性能的电化学晶体管传感器在定量分析检测亚硝酸盐方面的应用。

5.根据权利要求4所述应用，其特征在于当所述抗干扰性能的电化学晶体管传感器在沟道上设有Nafion薄膜保护层和/或壳聚糖薄膜保护层时，将该抗干扰性能的电化学晶体管传感器浸入缓冲溶液中，滴加不同浓度的亚硝酸盐标准溶液，用数字源表检测电化学晶体管传感器的时间电流曲线，通过电流的改变值与亚硝酸盐标准溶液的浓度绘制标准曲线，进而测定待测样品中亚硝酸盐的含量；或者，当所述抗干扰性能的电化学晶体管传感器在栅极外面套设下端带有微孔陶瓷的砂芯玻璃管时，将含有待测物质的缓冲溶液直接滴加到该抗干扰性能的电化学晶体管传感器的砂芯玻璃管内，滴加不同浓度的亚硝酸盐标准溶液，用数字源表检测电化学晶体管传感器的时间电流曲线，通过电流的改变值与亚硝酸盐标准溶液的浓度绘制标准曲线，进而测定待测样品中亚硝酸盐的含量。

6.根据权利要求5所述应用，其特征在于所述亚硝酸盐标准溶液的浓度为0.1nM-10mM。

7.根据权利要求5所述应用，其特征在于时间电流曲线的V_DS＝0.003-0.1V，V_G＝0.6-1V。