[发明专利]组合物、制品、用于电子设备的窗口、和电子设备在审

专利信息
申请号: 201811201400.3 申请日: 2018-10-16
公开(公告)号: CN109666400A 公开(公告)日: 2019-04-23
发明(设计)人: 裵俊喆;咸喆;文得圭;徐炳华;李在俊;曹亨受 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: C09D183/04 分类号: C09D183/04;C09D7/63;C08J7/04;C08G77/18;C08L79/08
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 金拟粲
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 电子设备 有机基团 硅倍半氧烷 阳离子聚合 有机硅氧烷 有机化合物 无机核
【权利要求书】:

1.组合物,其包括

能阳离子聚合的有机化合物;和

包括至少一种硅倍半氧烷的有机硅氧烷,

其中各硅倍半氧烷独立地包括具有SiO3/2部分的无机核和具有能阳离子聚合的官能团的有机基团,和

其中所述有机硅氧烷中的所述有机基团包括由化学式1表示的第一有机基团和由化学式2表示的第二有机基团,

化学式1

R1-(CH2)n1-*

化学式2

R2-(CH2)n2-*

其中,在化学1和2中,

R1和R2各自独立地为所述能阳离子聚合的官能团,

n1为范围1-3的整数,和

n2为4或更大的整数。

2.如权利要求1所述的组合物,其中所述有机硅氧烷包括

第一硅倍半氧烷,其包括具有SiO3/2部分的第一无机核、以及与所述第一无机核连接的所述第一有机基团;和

第二硅倍半氧烷,其包括具有SiO3/2部分的第二无机核、以及与所述第二无机核连接的所述第二有机基团。

3.如权利要求2所述的组合物,其中所述第一硅倍半氧烷和所述第二硅倍半氧烷为9:1-1:9的重量比。

4.如权利要求2所述的组合物,其中所述第一硅倍半氧烷由化学式3表示,和

所述第二硅倍半氧烷由化学式4表示:

化学式3

(RaRbRcSiO1/2)M1(RdReSiO2/2)D1(RfSiO3/2)T1a(RgSiO3/2)T1b(RhSiO3/2)T1c(SiO4/2)Q1

化学式4

(RiRjRkSiO1/2)M2(RlRmSiO2/2)D2(RnSiO3/2)T2a(RoSiO3/2)T2b(RpSiO3/2)T2c(SiO4/2)Q2

其中,在化学式3和4中,

Ra-Rg和Ri-Ro各自独立地为氢、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C3-C30环烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C7-C30芳烷基、取代或未取代的C1-C30杂烷基、取代或未取代的C2-C30杂环烷基、取代或未取代的C2-C30烯基、取代或未取代的C2-C30炔基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C1-C30含羰基的基团、羟基、或其组合,

Rh为由化学式1表示的第一有机基团,

Rp为由化学式2表示的第二有机基团,

0≤M1≤0.4,0≤D1≤0.4,0≤T1a<1,0≤T1b<1,0<T1c≤1,和0≤Q1≤0.4,条件是0.6≤T1a+T1b+T1c≤1,

0≤M2≤0.4,0≤D2≤0.4,0≤T2a<1,0≤T2b<1,0<T2c≤1,和0≤Q2≤0.4,条件是0.6≤T2a+T2b+T2c≤1,

M1+D1+T1a+T1b+T1c+Q1=1,和

M2+D2+T2a+T2b+T2c+Q2=1。

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