[发明专利]N管可控传输型绝热结构及其构成的一位全加器

说明书

本发明公开了一种N管可控传输型绝热结构,包括第七MOS第一连接端、第八MOS第一连接端、第三～第六MOS第二连接端连接电源，第七MOS第三连接端、第八MOS第二连接端、第二MOS第二连接端、第四MOS第一连接端和第六MOS第三连接端连接在一起作为该结构第二输出端,第八MOS第三连接端、第七MOS第二连接端、第一MOS第二连接端、第三MOS第一连接端和第五MOS第三连接端连接在一起作为该结构第一输出端OUT,第一MOS第三连接端作为该结构第一输入端，第一MOS第一连接端连接地，第二MOS第三连接端作为该结构第二输入端，第二MOS第一连接端连接地，第三MOS第三连接端连接第五MOS第一连接端，第四MOS第三连接端连接第六MOS第一连接端。本发明还公开了一种具有所述N管可控传输型绝热结构的一位全加器。

技术领域

本发明涉及集成电路领域，特别是涉及一种N管可控传输型绝热结构。本发明还涉及一种所述N管可控传输型绝热结构构成一位全加器。

背景技术

传统静态互补结构的反相器结构,如图1所示。该反相器由一个N型晶体管和P型晶体管构成。当输入信号为低电平“0”，PMOS M2晶体管导通，NMOS M1晶体管截止，电源VDD对输出节点OUT放电，迫使OUT节点信号拉高为“1”，当输入信号IN为高电平“1”时，NMOS M1晶体管导通，PMOS M2晶体管截止，OUT点通过NMOS M1晶体管对地放电，则输出节点被拉低为低电平“0”，实现了反相功能。不论是电源VDD通过晶体管PMOS M2对输出节点OUT充电，还是输出节点OUT通过晶体管NMOS M1对地端进行放电，电源提供的电能基本上消耗在NMOS M1和PMOS M2晶体管上了。当电源的值正好处于N、P晶体管的阈值电源地带会造成NMOS M1、PMOS M2晶体管同时导通的情况，这样势必会造成短路功耗的形成。并且为了维持电路的正常工作，电源一直处于带电状态，这样也会造成电路的功耗持续增加的原因，且随着输出负载的不断增加，电路的功耗持续上升。

复杂的数字系统可以由基本逻辑门电路实现。加法器是典型的组合逻辑电路。其中一位加法器是实现多位加法器的基础，具有很大的指导和研究意义。根据一位加法器的功能，根据加法器的逻辑表达式。通过一位全加器的表达式，一位全加器可以有基本逻辑门组成，如图2所示：

C₀＝XY+XCi+YCi＝XY+Ci(X+Y)

其中X、Y和Ci分别表示加法器的输入信号，X和Y分别表示加数和被加数，Ci是低位进位输入信号，C₀是本级输出进位，S是本位和。

基本逻辑门均是基于静态互补逻辑结构,由于静态互补结构电路在工作期间电源一直处于上电状态，而且伴随着漏功耗、短路功耗产生，且输出负载越大，电路的动态功耗也呈正比例的趋势增大，这对于实现一个简单的一位全加器，功耗增大问题也是不可接受的。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种具有逻辑赋值和能量(电荷)回收功能的可控传输型绝热N管可控传输型绝热结构。本发明还提供了一种利用所述N管可控传输型绝热结构构成的一位全加器。

为解决上述技术问题，本发明提供的N管可控传输型绝热结构,包括：第一～第八MOS1～8和电源；