[发明专利]一种电离辐射检测方法和传感器

权利要求书

1.一种电离辐射检测方法，其特征在于，包括：

在基底上设置狭缝，超长碳纳米管通过范德华力粘附在所述基底表面，其中，所述超长碳纳米管跨越所述狭缝；

通过自组装方式，在跨越所述狭缝的所述超长碳纳米管上生长纳米颗粒；

将粘附在所述基底上的具有所述纳米颗粒的超长碳纳米管置于待检测空间中；

通过光学显微镜观测跨越所述狭缝的具有所述纳米颗粒的超长碳纳米管，如果观测到跨越所述狭缝的具有所述纳米颗粒的超长碳纳米管发生断裂，则确定所述待检测空间具有电离辐射；

其中，所述超长碳纳米管的初始张力大于且小于自身拉伸强度，或者，所述超长碳纳米管的初始应变大于且小于自身断裂伸长率。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述超长碳纳米管通过范德华力粘附在所述基底表面，包括：

直接在所述基底上生长所述超长碳纳米管；

通过调控生长所述超长碳纳米管的反应条件，拉伸所述超长碳纳米管，以使拉伸后的所述超长碳纳米管的初始张力大于且小于自身拉伸强度，或者，使拉伸后的所述超长碳纳米管的初始应变大于且小于自身断裂伸长率。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述超长碳纳米管通过范德华力粘附在所述基底表面，包括：

通过探针将所述超长碳纳米管转移至所述基底上；

并通过探针拉伸所述超长碳纳米管，以使拉伸后的所述超长碳纳米管的初始张力大于且小于自身拉伸强度，或者，使拉伸后的所述超长碳纳米管的初始应变大于且小于自身断裂伸长率。

4.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述狭缝的宽度为0.2mm～2mm。

5.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，

所述基底为表面附有氧化层的硅材料；

和/或，

在所述将粘附在所述基底上的具有所述纳米颗粒的超长碳纳米管置于待检测空间中之后，在所述通过光学显微镜观测跨越所述狭缝的具有所述纳米颗粒的超长碳纳米管之前，进一步包括：

在待检测空间内，通过所述基底的空间移动，带动粘附在所述基底上的具有所述纳米颗粒的超长碳纳米管移动。

6.一种电离辐射检测传感器，其特征在于，包括：供电电源、二极管指示灯以及电源开关，其中，

所述供电电源的一个电极包含有超长碳纳米管，用于当所述电源开关闭合时，为所述二极管指示灯供电；

当所述供电电源位于待检测空间，所述电源开关处于闭合，所述二极管指示灯的状态由亮变灭，则确定所述待检测空间具有电离辐射；

其中，所述超长碳纳米管的初始张力大于且小于自身拉伸强度；

或者，

所述超长碳纳米管的初始应变大于且小于自身断裂伸长率。

7.根据权利要求6所述的电离辐射检测传感器，其特征在于，

连接所述供电电源、所述二极管指示灯以及所述电源开关的导线中包含有所述超长碳纳米管。

8.一种电离辐射检测传感器，其特征在于，包括：供电电源、二极管指示灯、电源开关以及可替换电子元件，其中，

所述供电电源，用于当所述电源开关闭合时，为所述二极管指示灯供电；

所述可替换电子元件包含有超长碳纳米管，设置于所述供电电源、所述电源开关以及所述二极管指示灯构成的闭合电路上；

当所述可替换电子元件位于待检测空间，所述电源开关处于闭合，所述二极管指示灯的状态由亮变灭，则确定所述待检测空间具有电离辐射；

其中，所述超长碳纳米管的初始张力大于且小于自身拉伸强度；

或者，

所述超长碳纳米管的初始应变大于且小于自身断裂伸长率。

9.根据权利要求8所述的电离辐射检测传感器，其特征在于，

连接所述供电电源、所述二极管指示灯以及所述电源开关的导线中包含有所述超长碳纳米管。

10.权利要求6至9任一所述的电离辐射检测传感器的检测方法，其特征在于，包括：

将电源开关处于闭合状态的所述电离辐射检测传感器置于待检测空间内；

当所述二极管指示灯的状态由亮变灭，则确定所述待检测空间具有电离辐射。