[发明专利]一种优化STM32芯片DFU升级的方法

说明书

本发明公开一种优化STM32芯片DFU升级的方法，其特征在于，该方法为：将内部和外部FLASH当成一个整体的FLASH，只生成一个媒介，在DFU升级时只需一次媒介操作。相比现有STM32芯片在有内外部FLASH的情况下，DFU升级分别将内部FLASH生成一个媒介、外部FLASH生成另一个媒介，本发明可以方便用户在固件升级时的操作，可以实现一次升级，避免复杂的操作要求。

技术领域

本发明涉及STM32芯片技术，特别涉及一种优化STM32芯片DFU升级的方法。

背景技术

STM32芯片基于专为要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式应用专门设计的ARM-M0，M0+，M3,M4和M7内核。按内核架构分为不同产品：主流产品(STM32F0、STM32F1、STM32F3)、超低功耗产品(STM32L0、STM32L1、STM32L4、STM32L4+)、高性能产品(STM32F2、STM32F4、STM32F7、STM32H7)。

STM32芯片在有内外部FLASH的情况下，DFU(Device Firmware Upgrade)升级一般是将内部FLASH生成一个媒介，外部FLASH生成另一个媒介。这种方式造成在用DFU工具升级时，需要分两次升级两个媒介，这样会给用户造成操作的复杂度和难度。

发明内容

针对现有技术存在的问题，本发明提供一种优化STM32芯片DFU升级的方法。

为实现上述目的，本发明的具体技术方案如下：

一种优化STM32芯片DFU升级的方法，该方法为：将内部和外部FLASH当成一个整体的FLASH，只生成一个媒介，在DFU升级时只需一次媒介操作。

作为本发明一优选技术方案，该方法为：将内部和外部FLASH在逻辑分区表上当成一个整体的FLASH，内部和外部FLASH分别是顺序的不同地址范围，在升级操作时通过地址区分内部和外部FLASH操作。

作为本发明一优选技术方案，该方法具体包括如下步骤：

S1：将内部FLASH和外部FLASH按照寻址大小，整合到一张逻辑分区表；

S2：在升级操作时，根据升级包数据地址，找到相应的FLASH，对其进行存取操作。

作为本发明一优选技术方案，步骤S1中：内部FLASH和外部FLASH寻址范围不连续，整合在一起将会多出一部分空间，我们将多出来的这部分空间设置为无效区，设置为不可写入属性，并且读操作后的数据都是0xFF数值，即格式化数据。

作为本发明一优选技术方案，步骤S2中：所述数据存取操作包括擦写、写入和读出。

采用本发明的技术方案，具有以下有益效果：

本发明可以方便用户在固件升级时的操作，可以实现一次升级，避免复杂的操作要求。

附图说明

图1为本发明方法的流程图；

图2为本发明中内外FLASH整合到一张逻辑表后的效果图；

图3为本发明中FLASH的操作流程图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例，对本发明进一步说明。

本发明提供一种优化STM32芯片DFU升级的方法，该方法为：将内部和外部FLASH当成一个整体的FLASH，只生成一个媒介，在DFU升级时只需一次媒介操作。

其中，以逻辑分区表将内部和外部FLASH当成一个整体的FLASH，内部和外部FLASH分别是顺序的不同地址范围，在升级操作时通过地址区分内部和外部FLASH操作。