[发明专利]光学邻近校正（OPC）方法及使用该OPC方法制造掩模的方法

说明书

本发明提供了可以有效控制拐角圆滑的光学邻近校正(OPC)，以及使用所述OPC方法执行的掩模制造方法。根据所述OPC方法，通过布局的分解生成内部边缘，并基于所述内部边缘计算内部片段的位移(DISin_frag)和所选中的片段的位移(DISsel)以额外地移位片段，以便在不违反掩模规则检查(MRC)的情况下制造具有最小拐角圆滑的掩模布局。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年12月18日提交并且标题为“Optical Proximity Correction(OPC)Method and Method of Method Using Manufacturing Method Using Method ofManufacturing Mask(光学邻近校正(OPC)方法及使用该OPC方法制造掩模的方法)”的韩国专利申请第10-2017-0174360号的优先权，该申请整体通过引用并入本文中。

技术领域

本文的一个或多个实施例涉及光学邻近校正(OPC)方法以及使用OPC方法制造掩模的方法。

背景技术

一种被称为光刻工艺类型的半导体工艺使用掩模在诸如晶片的半导体衬底上形成图案。掩模可以是在透明基层材料上的不透明材料形成的具有图案形状的图案转印对象。在掩模制造操作中，首先设计电路，然后设计电路的布局。之后，将通过OPC获取的设计数据作为掩模带外(MTO)设计数据来发送。接下来，基于MTO设计数据执行掩模数据准备(MDP)。然后，可以执行线前端(FEOL)处理(诸如曝光处理)和线后端处理(BEOL)处理(诸如缺陷检查)以完成掩模的制造。

发明内容

根据一个或多个实施例，光学邻近校正(OPC)方法可以包括：将目标图案的布局的边缘划分成片段，通过向OPC模型输入包括片段的掩模数据通过仿真来提取目标图案的轮廓，计算轮廓和目标图案的边缘之间的差作为片段中的每一个的边缘布置误差(EPE)，并且确定是否执行提取目标图案的轮廓。当将要执行提取目标图案的轮廓时，通过将EPE乘以反馈因子来确定片段的位移，并且通过该位移来移位(dispalce)片段，其中该OPC方法继续进行以通过使用所移位的片段来提取目标图案的轮廓。将目标图案的布局的边缘划分为片段包括分解目标图案的布局以形成内部边缘，并且布局的边缘包括在分解布局之前的外部边缘以及内部边缘，并且片段包括用于外部边缘的外部片段和用于内部边缘的内部片段。

根据一个或多个实施例，光学邻近修正(OPC)方法可以包括：分解包括拐角的目标图案的布局，将通过分解获得的布局的内部边缘和在分解之前的布局的外部边缘划分为片段，通过将包括片段的掩模数据输入到OPC模型中通过仿真来提取目标图案的轮廓，计算目标图案的轮廓和边缘之间的差作为片段中的每一个的边缘放置误差(EPE)，通过将EPE乘以设定的反馈因子来确定片段的位移，并且通过该位移来移位片段。提取目标图案的轮廓包括在基于第一OPC模型的仿真中使用包括通过掩模规则检查(MRC)所移位的片段的掩模数据。当EPE大于设定的参考值或根据OPC模型执行仿真的次数不等于设定的次数的参考数时，继续使用所移位的片段来提取目标图案的轮廓。

根据一个或多个实施例，一种掩模制造方法可以包括：分解包括拐角的目标图案的布局，在分解之前将通过分解获得的布局的内部边缘和布局的外部边缘划分成片段，通过将包括片段的掩模数据输入到光学邻近校正(OPC)模型中通过仿真来提取目标图案的轮廓，为每个片段计算轮廓和目标图案的边缘之间的差作为边缘放置误差(EPE)，确定EPE是否等于或小于设定的参考值，或根据OPC模型执行仿真的次数是否等于设定的次数的参考数，当EPE等于或小于设定的参考值或根据OPC模型执行仿真的次数等于设定的次数的参考数时确定最终掩模数据，将最终掩模数据作为掩模带外(MTO)设计数据来转印，基于MTO设计数据准备掩模数据，并基于掩模数据在掩模的衬底上执行曝光。当EPE大于参考值或者根据OPC模型执行仿真的次数不等于次数的参考数时，OPC方法还包括通过将EPE乘以设定的反馈因子来确定片段的位移；通过该位移来移位片段，并基于经移位的片段来继续提取目标图案的轮廓。

附图说明