[发明专利]能隙电压参考电路

权利要求书

1.一种能隙电压参考电路，用以产生一能隙参考电压，其特征在于，该能隙电压参考电路包括：

一能隙电流产生电路，用以将该能隙参考电压转换为一能隙电流，并根据该能隙电流产生一第一电压及一第二电压；

一差动对电路，耦接该能隙电流产生电路以接收该第一电压及该第二电压，用以降低该第一电压与该第二电压之间的一电压差，并产生一第三电压；以及

一翻转电压跟随器(flipped voltage follower)，耦接该差动对电路以接收该第三电压，并据以产生该能隙参考电压。

2.如权利要求1所述的能隙电压参考电路，其特征在于，其中该翻转电压跟随器还增加该能隙参考电压的驱动能力。

3.如权利要求1所述的能隙电压参考电路，其特征在于，其中该翻转电压跟随器包括：

一电流源电路，该电流源电路的第一端耦接一参考电压端；

一第一晶体管，该第一晶体管的第一端与该电流源电路的第二端相耦接以提供一第四电压，且该第一晶体管的控制端耦接该差动对电路以接收该第三电压；以及

一第二晶体管，该第二晶体管的第二端耦接一操作电压端，该第二晶体管的控制端耦接该电流源电路的该第二端以接收该第四电压，且该第二晶体管的第一端与该第一晶体管的第二端相耦接以输出该能隙参考电压。

4.如权利要求3所述的能隙电压参考电路，其特征在于，其中：

该第一晶体管及该第二晶体管中的每一个为P型金氧半场效晶体管，该第一晶体管及该第二晶体管中的每一个的该第一端为该P型金氧半场效晶体管的漏极端，该第一晶体管及该第二晶体管中的每一个的该控制端为该P型金氧半场效晶体管的栅极端，且该第一晶体管及该第二晶体管中的每一个的该第二端为该P型金氧半场效晶体管的源极端。

5.如权利要求1所述的能隙电压参考电路，其特征在于，其中该翻转电压跟随器包括：

一电流源电路，该电流源电路的第一端耦接一参考电压端；

一第一晶体管，该第一晶体管的第一端与该电流源电路的第二端相耦接以提供一第四电压，且该第一晶体管的控制端耦接该差动对电路以接收该第三电压；

一第二晶体管，该第二晶体管的第二端耦接一操作电压端，且该第二晶体管的第一端与该第一晶体管的第二端相耦接以输出该能隙参考电压；以及

一电压调整电路，耦接在该电流源电路的该第二端与该第二晶体管的控制端之间，用以根据该第四电压产生并输出一控制电压至该第二晶体管的该控制端。

6.如权利要求5所述的能隙电压参考电路，其特征在于，其中该控制电压高于该第四电压。

7.如权利要求5所述的能隙电压参考电路，其特征在于，其中该电压调整电路包括：

一第三晶体管，该第三晶体管的控制端耦接一偏压电压端，且该第三晶体管的第二端耦接该电流源电路的该第二端以接收该第四电压；以及

一第四晶体管，该第四晶体管的第二端耦接该操作电压端，该第四晶体管的控制端与第一端相耦接并耦接该第二晶体管的该控制端及该第三晶体管的第一端以输出该控制电压。

8.如权利要求7所述的能隙电压参考电路，其特征在于，其中：

该第一晶体管、该第二晶体管及该第四晶体管中的每一个为P型金氧半场效晶体管，该第一晶体管、该第二晶体管及该第四晶体管中的每一个的该第一端为该P型金氧半场效晶体管的漏极端，该第一晶体管、该第二晶体管及该第四晶体管中的每一个的该控制端为该P型金氧半场效晶体管的栅极端，且该第一晶体管、该第二晶体管及该第四晶体管中的每一个的该第二端为该P型金氧半场效晶体管的源极端；以及

该第三晶体管为N型金氧半场效晶体管，该第三晶体管的该第一端为该N型金氧半场效晶体管的漏极端，该第三晶体管的该控制端为该N型金氧半场效晶体管的栅极端，且该第三晶体管的该第二端为该N型金氧半场效晶体管的源极端。