[发明专利]一种继电器驱动装置

说明书

本发明公开了一种继电器驱动装置。一种继电器驱动装置包括第一电阻、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和继电器KA。利用本发明提供的继电器驱动装置可以实现低温度系数的驱动电流对继电器进行驱动。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及到一种继电器驱动装置。

背景技术

为了减少温度对驱动电流的影响，设计了一种低温度系数驱动电流的继电器驱动装置，利用沟道电阻和多晶电阻的正负温度系数相互抵消的特点来实现低温度系数的驱动电流。

发明内容

本发明旨在解决现有技术的不足，提供一种低温度系数驱动电流的继电器驱动装置

一种继电器驱动装置，包括第一电阻、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和继电器KA：

所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一NMOS管的漏极；所述第一NMOS管的栅极接电源电压VCC，漏极接所述第一电阻的一端，源极接所述第二NMOS管的栅极和漏极和所述第三NMOS管的栅极；所述第二NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一NMOS管的源极和所述第三NMOS管的栅极，源极接地；所述第三NMOS管的栅极接所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的栅极和漏极，漏极接所述继电器KA的线圈部分的一端，源极接地；所述继电器KA的线圈部分的一端接所述第三NMOS管的漏极，另一端接电源电压VCC。

所述第一NMOS管处于线性区，呈电阻状态，其沟道电阻呈正温度系数；所述第一电阻采用负温度系数的多晶POLY电阻；所述第一电阻、所述第一NMOS管和所述第二NMOS管构成电流产生电路，电流等于电源电压VCC减去所述第二NMOS管的阈值电压再除以所述第一电阻和所述第一NMOS管的沟道电阻的电阻值之和；可以通过调节这两个温度系数达到零温度系数，这样就可以达到对所述继电器KA驱动电流不受温度影响。

附图说明

图1为本发明的继电器驱动装置的电路图。

具体实施方式

以下结合附图对本发明内容进一步说明。

一种继电器驱动装置，如图1所示，包括第一电阻101、第一NMOS管102、第二NMOS管103、第三NMOS管104和继电器KA：

所述第一电阻101的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一NMOS管102的漏极；所述第一NMOS管102的栅极接电源电压VCC，漏极接所述第一电阻101的一端，源极接所述第二NMOS管103的栅极和漏极和所述第三NMOS管104的栅极；所述第二NMOS管103的栅极和漏极接在一起再接所述第一NMOS管102的源极和所述第三NMOS管104的栅极，源极接地；所述第三NMOS管104的栅极接所述第一NMOS管102的源极和所述第二NMOS管103的栅极和漏极，漏极接所述继电器KA的线圈部分的一端，源极接地；所述继电器KA的线圈部分的一端接所述第三NMOS管104的漏极，另一端接电源电压VCC。

所述第一NMOS管102处于线性区，呈电阻状态，其沟道电阻呈正温度系数；所述第一电阻101采用负温度系数的多晶POLY电阻；所述第一电阻101、所述第一NMOS管102和所述第二NMOS管103构成电流产生电路，电流等于电源电压VCC减去所述第二NMOS管103的阈值电压再除以所述第一电阻101和所述第一NMOS管102的沟道电阻的电阻值之和；可以通过调节这两个温度系数达到零温度系数，这样就可以达到对所述继电器KA驱动电流不受温度影响。

对上述所提供的实施方式的说明，仅是本发明的优选实施方式的说明，对本技术领域的技术人员来说能够根据以上说明进行实现或使用本发明。应当指出，对于本技术领域的技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，任何不超出本发明实质精神范围内的发明创造，应视为本发明的保护范围。