[发明专利]一种超小型中子管

权利要求书

1.一种超小型中子管，其特征在于：所述的超小型中子管包括电极（1）、排气管（2）、铜头（3）、上面罩（4）、氢同位素储存器（5）、接地柱（6）、阴极（8）、磁钢（9）、阳极（10）、电子整形环（11）、耐高压分段绝缘密封壳Ⅰ（12）、加速筒（13）、靶（14）、下面罩（15）、阳极罩（16）、耐高压分段绝缘密封壳Ⅱ（17）、耐高压分段绝缘密封壳Ⅲ（18）；

所述的铜头（3）焊接在上面罩（4）的上部内壁上，电极（1）焊接在铜头（3）上，上面罩（4）的下部焊接有阴极（8），阴极（8）内放置磁钢（9），所述的阴极（8）是由导磁材料制成的一体的冷阴极腔体，腔体下端为阴极（8）的基体，基体下端面为内凹孔设计，该内凹孔为阴极（8）的纵向离子引出中心孔，阴极（8）采用电子发射系数高的金属制作，磁钢（9）为可保证阴极（8）的引出磁场为2300高斯的强磁永磁铁，阴极（8）与铜头（3）之间形成气室（7），气室（7）内安装有氢同位素储存器（5），接地柱（6）位于气室（7）内，其下端与阴极（8）连接为一体，上端与铜头（3）焊接；排气管（2）安装在铜头（3）的中部，与气室（7）连通；

上面罩（4）的底部与耐高压分段绝缘密封壳Ⅰ（12）封接，耐高压分段绝缘密封壳Ⅰ（12）正下方设置有直径与其一致的耐高压分段绝缘密封壳Ⅱ（17），耐高压分段绝缘密封壳Ⅰ（12）与耐高压分段绝缘密封壳Ⅱ（17）形成的空腔内安装有阳极罩（16），阳极罩（16）上安装有阳极（10）；所述的阳极（10）的中部设置有一个环状金属耳环，耳环的外径与耐高压分段绝缘密封壳Ⅰ（12）、耐高压分段绝缘密封壳Ⅱ（17）外径大小一致，耳环的外耳上下端面分别与耐高压分段绝缘密封壳Ⅰ（12）、耐高压分段绝缘密封壳Ⅱ（17）封接在一起；

耐高压分段绝缘密封壳Ⅱ（17）的底部与电子整形环（11）封接，电子整形环（11）的上端面突起，与阳极（10）的下缘焊接在一起，所述的阳极（10）、电子整形环（11）均采用无磁金属制作而成，阳极（10）的内部为一个中空的圆筒；电子整形环（11）的下端与耐高压分段绝缘密封壳Ⅲ（18）的上端封接在一起，耐高压分段绝缘密封壳Ⅲ（18）的内腔内设置有加速筒（13），所述的加速筒（13）为采用无磁金属材料制作的上窄下宽的杯状筒结构，耐高压分段绝缘密封壳Ⅲ（18）的底部与下面罩（15）的上端焊接，下面罩（15）内焊接有靶（14）；所述的靶（14）的底外部装有偏转永磁铁（19）；

所述的耐高压分段绝缘密封壳Ⅰ（12）、耐高压分段绝缘密封壳Ⅱ（17）、耐高压分段绝缘密封壳Ⅲ（18）为三个采用氧化铝陶瓷材料制成，直径相同、长短不同且可承载130KV高压的陶瓷绝缘管；上面罩（4）、耐高压分段绝缘密封壳Ⅰ（12）、耐高压分段绝缘密封壳Ⅱ（17）、耐高压分段绝缘密封壳Ⅲ（18）、靶（14）的外径为15-20mm。

2.根据权利要求1所述的一种超小型中子管，其特征在于：所述的气室（7）内焊接一至两个氢同位素储存器（5）。

3.根据权利要求1或2所述的一种超小型中子管，其特征在于：所述的氢同位素储存器（5）采用锆材料制成。

4.根据权利要求1所述的一种超小型中子管，其特征在于：所述的上面罩（4）采用导磁的金属制成。

5.根据权利要求1所述的一种超小型中子管，其特征在于：所述的靶（14）是采用无磁和导热性好的金属材料做成的带底金属圆筒结构，带底金属圆筒结构的底部为靶基体，靶基体外径与下面罩（15）的内径相同，并与下面罩（15）焊接在一起，靶基体的内端面上封接陶瓷，镀膜成为氢同位素靶。