[发明专利]一种碳布负载的硫化镍-硫化钼异质纳米片阵列结构及其制备方法

权利要求书

1.碳布负载的NiS-MoS₂异质纳米片阵列结构的制备方法，其特征在于，所述碳布负载的NiS-MoS₂异质纳米片阵列结构是由三维的碳纤维布与其表面均匀负载的阵列状的NiS-MoS₂异质纳米片构成；所述碳布负载的NiS-MoS₂异质纳米片阵列结构中构建有一种多级的三维框架式结构，以碳纤维作为导电骨架，NiS-MoS₂异质纳米片成阵列状、均匀、紧密地包覆在碳纤维上，且MoS₂均匀包覆于NiS表面；所述制备方法以醋酸镍、钼酸铵、硫脲作为镍源、钼源和硫源，十二烷基硫酸钠为表面活性剂，通过一步水热法，直接在碳布表面均匀、紧密地生长出NiS-MoS₂异质纳米片阵列结构；依次包括以下步骤：

(1)将碳布预先分别用丙酮、1-2mol/L盐酸水溶液以及去离子水依次超声清洗0.5-1小时，并在60℃下烘干，保存备用；

(2)将市售分析纯醋酸镍、钼酸铵、硫脲和十二烷基硫酸钠粉末投入烧杯中，再加入去离子水充分搅拌使其均匀混合，控制混合溶液中醋酸镍浓度为0.03-0.05mol/L，钼酸铵的浓度为0.001-0.005mol/L，硫脲的浓度为0.05-0.08mol/L，十二烷基硫酸钠浓度为0.15-0.25mol/L；再利用0.5-1.0mol/L的氢氧化钠水溶液调节反应物混合溶液的pH值至5.8-7.0之间；

(3)在高压反应釜中填充50％-80％的反应物混合溶液后，垂直浸入洗净的碳布，密封反应釜；

(4)将反应釜移至电炉中，并5-20℃/min的速率加热到160-200℃并保温8-12小时；然后自然冷却到室温；

(5)打开反应釜后，从反应釜中取出碳布，并用去离子水和酒精交替漂洗3-5次；然后在60℃下烘干；

(6)在室温下，在干燥箱中保存备用。