[发明专利]用于显示中低碳钢初始奥氏体晶界的腐蚀剂及腐蚀方法

权利要求书

1.一种用于显示中低碳钢初始奥氏体晶界的腐蚀剂，其特征在于，由水、苦味酸和脂肪酸聚氧乙烯醚组成；其中，脂肪酸聚氧乙烯醚相对每100ml水的用量为5-7g，苦味酸的用量以能溶解在所述水中并形成苦味酸饱和水溶液为准。

2.根据权利要求1所述的用于显示中低碳钢初始奥氏体晶界的腐蚀剂，其特征在于，所述脂肪酸聚氧乙烯醚相对每100ml水的用量为5.5-6.5g。

3.根据权利要求2所述的中低碳钢初始奥氏体晶界的腐蚀剂，其特征在于，所述脂肪酸聚氧乙烯醚相对每100ml水的用量为6g。

4.根据权利要求1-3任一项所述的用于显示中低碳钢初始奥氏体晶界的腐蚀剂，其特征在于，所述苦味酸相对每100ml水的用量为5-8g。

5.权利要求1-4任一项所述的腐蚀剂的配制方法，其特征在于，包括如下步骤：

向水中加入苦味酸搅拌溶解配成苦味酸饱和水溶液，之后加入脂肪酸聚氧乙烯醚进行搅拌溶解。

6.根据权利要求5所述的腐蚀剂的配制方法，其特征在于，将所述水在50-70℃的水浴中加热，向其中加入所述苦味酸，搅拌溶解，并使溶液底部存在部分未溶解的苦味酸颗粒以获得饱和苦味酸水溶液；之后加入脂肪酸聚氧乙烯醚并进行搅拌溶解。

7.一种用于显示中低碳钢初始奥氏体晶界的腐蚀方法，其特征在于，通过用权利要求1-4任一项所述的腐蚀剂或权利要求5或6所述的配制方法制得的腐蚀剂对完全奥氏体化后淬火的样品进行腐蚀，以显示样品的初始奥氏体晶界。

8.根据权利要求7所述的腐蚀方法，其特征在于，所述腐蚀方法具体包括如下步骤：

1)切割和镶嵌：将完全奥氏体化后淬火的试样进行切割制得样品，将样品进行镶嵌；

2)研磨：将镶嵌好的样品用砂纸进行研磨；

3)抛光：将磨制好的样品进行抛光处理；

4)腐蚀：将腐蚀剂加热至50-70℃，将抛光后的样品放入腐蚀剂中进行腐蚀，腐蚀完毕后用酒精洗净表面的腐蚀物，之后吹干。

9.根据权利要求8所述的腐蚀方法，其特征在于，所述步骤4)中，腐蚀剂在水浴装置中水浴加热至50-70℃，抛光后的试样放入腐蚀剂中时，其待腐蚀的表面朝上。

10.根据权利要求8或9所述的腐蚀方法，其特征在于，步骤4)进行腐蚀的时间为6-8min。

11.根据权利要求8或9所述的腐蚀方法，其特征在于，步骤2)中，采用200#，600#，1200#的砂纸依次进行所述研磨；

步骤3)中，采用金刚石粒度为3μm、1μm、0.05μm的金刚石抛光液依次进行所述抛光处理。