[发明专利]适用于恒包络非线性调制的片上集成收发匹配网络及方法

权利要求书

1.一种适用于恒包络非线性调制的片上集成电路收发匹配网络，其特征在于，包含：片上的电感L1、电感L2、电容C1、电容C2、电容C3、NMOS管开关S1、NMOS管开关S2、片上变压器；片外设有天线；

片上发射电路输出用的发射端TX连接电感L2一端，电感L2的另一端在节点B连接开关S1的漏端以及电容C2的一个极板，开关S1的源端连接到GND，开关S1通过接入其栅极的接收使能信号RXEN来控制；

电容C2的另一个极板、电容C1的一个极板和电感L1的一端，均连接到天线的端口；电容C1的另一个极板连接到GND；

电感L1的另一端在节点A连接片上变压器的初级线圈输入端，初级线圈的另一端与电容C3的一个极板连接到GND，电容C3的另一个极板连接到节点A；片上变压器的次级线圈与片上接收电路的接收端RX连接；

开关S2的漏端连接到节点A，开关S2的源端连接到GND，开关S2通过接入其栅极的发射使能信号TXEN来控制。

2.如权利要求1所述的片上集成电路收发匹配网络，其特征在于，

芯片工作在接收状态时，形成有完全直流连通的静电释放路径，其从天线端口经电感L1连接到片上变压器的初级线圈，进而连接到GND；

芯片工作在发射状态时，形成有完全直流连通的静电释放路径，其从天线端口经电感L1连接到GND。

3.如权利要求1所述的片上集成电路收发匹配网络，其特征在于，

将电感L1另一端、电容C1另一个极板的连接结构，替换为：

电感L1的另一端连接到GND，且电容C1的另一个极板在节点A连接片上变压器的初级线圈输入端；

芯片工作在接收状态时，形成有完全直流连通的静电释放路径，其从天线端口经电感L1连接到GND，以及从天线端口经片上变压器的初级线圈连接到GND；

芯片工作在发射状态时，形成有完全直流连通的静电释放路径，其从天线端口经电感L1连接到GND。

4.如权利要求1所述的片上集成电路收发匹配网络，其特征在于，

芯片工作在接收状态时，发射端TX没有输出信号，接收使能信号RXEN为高电平，电感L2通过源漏极导通的开关S1连接到GND；天线的信号通过电感L1、电容C1、电容C2、电容C3以及片上变压器形成的输入匹配网络进入片上接收电路；

芯片工作在发射状态时，片上变压器处于短路连接到GND的状态；电感L1和电容C1形成谐振腔；接收使能信号RXEN为低电平，开关S1关断，电感L2和电容C2形成所需频段的带通滤波结构；发射端TX输出的信号通过电感L2、电感L1、电容C1、电容C2和电容C5形成的结构匹配到天线端口，其中电容C5为开关S1关断时其漏极到GND的寄生电容。

5.如权利要求 3所述的片上集成电路收发匹配网络，其特征在于，

芯片工作在接收状态时，发射端TX没有输出信号，接收使能信号RXEN为高电平，电感L2通过源漏极导通的开关S1连接到GND；天线的信号通过电感L1、电容C1、电容C2、电容C3以及片上变压器形成的输入匹配网络进入片上接收电路；

芯片工作在发射状态时，片上变压器处于短路连接到GND的状态；电感L1和电容C1形成谐振腔；接收使能信号RXEN为低电平，开关S1关断，电感L2和电容C2形成所需频段的带通滤波结构；发射端TX输出的信号通过电感L2、电感L1、电容C1、电容C2和电容C5形成的结构匹配到天线端口，其中电容C5为开关S1关断时其漏极到GND的寄生电容。

6.如权利要求1所述的片上集成电路收发匹配网络，其特征在于，

将电容C2另一个极板、电感L1另一端、电容C3两个极板的连接结构，替换为：

电容C2的另一个极板和电感L1的另一端，均在节点C连接电容C3的一个极板；电容C3的另一个极板在节点A连接片上变压器的初级线圈输入端；

芯片工作在接收状态或发射状态时，分别形成有完全直流连通的静电释放路径，其从天线端口连接到电感L1，进而连接到GND。