[发明专利]物理不可克隆函数单元

权利要求书

1.一种物理不可克隆函数单元，其特征在于，包括：

反熔丝晶体管，具有耦接于第一读取位线的第一端，耦接于第二读取位线的第二端，及栅极端；及

控制电路，耦接于所述反熔丝晶体管，并用以在注册操作中，施加注册电压至所述反熔丝晶体管的所述栅极端及施加参考电压至所述反熔丝晶体管的所述第一端及所述第二端；

其中所述注册电压高于所述参考电压，且所述注册电压高到足以在所述反熔丝晶体管的所述栅极端至所述第一端或在所述反熔丝晶体管的所述栅极端至所述第二端之间产生出穿凿路径。

2.如权利要求1所述的物理不可克隆函数单元，其特征在于，还包括差动感测电路，用以在读取操作时，根据所述反熔丝晶体管的所述第一端及所述第二端所产生的电流输出随机数字元。

3.如权利要求2所述的物理不可克隆函数单元，其特征在于所述控制电路包括：

电压源，用以在所述注册操作时提供所述注册电压，并在所述读取操作时提供读取电压，所述读取电压低于所述注册电压；

栅极控制P型晶体，具有耦接于所述电压源的第一端，耦接于所述反熔丝晶体管的所述栅极端的第二端，及耦接于栅极选择线的控制端；及

栅极控制N型晶体，具有耦接于所述电压源的第一端，耦接于所述反熔丝晶体管的所述栅极端的第二端，及耦接于所述栅极选择线的控制端。

4.如权利要求3所述的物理不可克隆函数单元，其特征在于所述控制电路还包括：

第一注册晶体管，具有耦接于所述反熔丝晶体管的所述第一端的第一端，耦接于注册位线的第二端，及耦接于注册字符线的控制端；及

第二注册晶体管，具有耦接于所述反熔丝晶体管的所述第二端的第一端，耦接于所述注册位线的第二端，及耦接于所述注册字符线的控制端。

5.如权利要求4所述的物理不可克隆函数单元，其特征在于：

在所述注册操作时，所述栅极选择线是在低操作电压，所述注册位线是在所述参考电压，且所述注册字符线是在高操作电压，其中所述低操作电压低于所述高操作电压，所述高操作电压高于所述参考电压，且所述高操作电压低于所述注册电压。

6.如权利要求4所述的物理不可克隆函数单元，其特征在于所述差动感测电路包括：

第一反相器，具有输入端及输出端，所述第一反相器的所述输入端经由所述第一读取位线耦接于所述反熔丝晶体管的所述第一端，及所述

第一反相器的所述输出端经由所述第二读取位线耦接于所述反熔丝晶体管的所述第二端；及

第二反相器，具有输入端及输出端，所述第二反相器的所述输入端耦接于所述第一反相器的所述输出端，及所述第二反相器的所述输出端耦接于所述第一反相器的所述输入端。

7.如权利要求6所述的物理不可克隆函数单元，其特征在于：

在所述读取操作时：

所述栅极选择线自低操作电压变为高操作电压；

所述注册位线是在所述参考电压；及

所述注册位线自所述高操作电压变为所述低操作电压；

其中所述高操作电压高于所述低操作电压。

8.如权利要求7所述的物理不可克隆函数单元，其特征在于：

在所述读取操作时，在所述注册字符线自所述高操作电压变为所述低操作电压之后，所述栅极选择线自所述低操作电压变为所述高操作电压。

9.如权利要求4所述的物理不可克隆函数单元，其特征在于控制电路还包括：

第一读取晶体管，具有耦接于所述第一读取位线的第一端，耦接于所述反熔丝晶体管的所述第一端的第二端，及耦接于读取字符线的控制端；及

第二读取晶体管，具有耦接于所述第二读取位线的第一端，耦接于所述反熔丝晶体管的所述第二端的第二端，及耦接于所述读取字符线的控制端。