[发明专利]控制填料-聚合物组合物中的电阻率的方法以及与其相关的产品

权利要求书

1.控制填料-聚合物组合物中的电阻率的方法，包括：

使至少一种聚合物与至少一种填料组合，所述填料包括：

具有二氧化硅相和碳相的双相填料，其中所述双相填料具有受控形态。

2.权利要求1的方法，其中所述双相填料包含具有小于250nm的平均聚集体尺寸和45nm或更小的平均初级粒径的融合初级颗粒。

3.权利要求1的方法，其中当双相填料在空气中以5℃/分钟的温度斜度经历从120℃直至450℃的温度时具有低于1％的失重。

4.权利要求1的方法，其中当所述填料-聚合物组合物在最高达所述至少一种聚合物的热稳定性的温度下热处理或后处理时，所述填料-聚合物组合物的所述电阻率得以保持。

5.权利要求1的方法，其中当所述填料-聚合物组合物在最高达至少450℃的温度下热处理或后处理时，所述填料-聚合物组合物的所述电阻率得以保持。

6.权利要求1的方法，其中所述受控形态为碘值或OAN，且其中较高的碘值或OAN有助于较低的体积电阻率。

7.权利要求1的方法，其中所述双相填料具有10000ppm或更低的总硫含量。

8.权利要求1的方法，其中所述双相填料具有500ppm或更低的总硫含量。

9.权利要求1的方法，其中所述双相填料具有1ppm-100ppm的硫含量。

10.权利要求1的方法，其中所述二氧化硅相以基于该双相填料重量的30重量％-约90重量％的量存在。

11.权利要求1的方法，其中所述双相填料具有连接的至少一种化学基团。

12.权利要求1的方法，其中所述双相填料具有连接的至少一种硅烷。

13.聚合物组合物，其包含至少一种有机硅聚合物以及具有二氧化硅相和碳相的双相填料，其中所述双相填料具有暴露的外部表面积，且所述二氧化硅相构成所述暴露的外部表面积的约10表面积％-约90表面积％。

14.权利要求13的聚合物组合物，其中所述暴露的外部表面积为所述暴露的外部表面积的20表面积％-85表面积％。

15.权利要求13的聚合物组合物，其中所述暴露的外部表面积为所述暴露的外部表面积的30表面积％-80表面积％。

16.权利要求13的聚合物组合物，其中所述暴露的外部表面积为所述暴露的外部表面积的30表面积％-70表面积％。

17.权利要求13的聚合物组合物，其中所述有机硅聚合物为至少一种聚二甲基硅氧烷。

18.权利要求13的聚合物组合物，其中所述聚合物组合物具有110mJ/m²或更高的填料对用于所述聚合物组合物的聚合物的粘着功。

19.权利要求13的聚合物组合物，其中所述粘着功为120-150mJ/m²。

20.聚合物组合物，包含：

a)至少一种聚合物；

b)至少一种具有10000ppm或更低硫量的包含二氧化硅相和碳相的双相填料；和

c)至少一种Pt固化催化剂。

21.权利要求20的聚合物组合物，其中所述聚合物组合物是完全固化的。