[发明专利]一种晶闸管两端电压变化率检测电路有效
申请号: | 201810962890.2 | 申请日: | 2018-08-22 |
公开(公告)号: | CN109085411B | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 王振;安靖;杨光源;冯志畅;刘坤;任佳丽;李左 | 申请(专利权)人: | 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司检修试验中心;中电普瑞电力工程有限公司 |
主分类号: | G01R19/12 | 分类号: | G01R19/12 |
代理公司: | 广州科粤专利商标代理有限公司 44001 | 代理人: | 周友元;黄培智 |
地址: | 510663 广东省广州市黄埔*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶闸管 两端 电压 变化 检测 电路 | ||
1.一种晶闸管两端电压变化率检测电路,其特征在于:包括串联后跨接在晶闸管T两端的电容Ct和采样电阻Rt,还包括并联在采样电阻Rt两端的保护模块、信号调理模块和dv/dt检测及信号发送模块;dv/dt检测及信号发送模块实现对晶闸管T两端dv/dt的检测及超标报警信号输出;保护模块实现对信号调理模块和dv/dt检测及信号发送模块的过电压保护及大电流的旁路,信号调理模块实现对dv/dt检测及信号发送模块输出的报警信号的调理,使报警信号的脉冲宽度大于外围控制设备的最小可识别脉宽;
dv/dt检测及信号发送模块包括比较器A2、MOS管T2和发光二级管D1;比较器A2输入端正极与采样电阻Rt上端连接,比较器A2输入端负极接阙值输入电压RefL,比较器A2输出端与MOS管T2门极相连,MOS管T2的D端经发光管二级D1与采样电阻Rt上端连接,MOS管T2的S端与采样电阻Rt下端连接;
信号调理模块包括比较器A1、MOS管T1、电阻R1和电容C1;比较器A1输入端正极与采样电阻Rt上端连接,比较器A1输入端负极接阙值输入电压RefH,比较器A1输出端与MOS管T1门极相连,MOS管T1的D端经电阻R1和电容C1组成的并联电路与采样电阻Rt上端连接,MOS管T1的S端与采样电阻Rt下端连接;
其中,比较器A1的阙值输入电压RefH要高于比较器A2的阙值输入电压RefL,发光管二级D1与采样电阻Rt上端之间还串接有电阻R2,保护模块采用压敏电阻Rv或双向TVS管。
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