[发明专利]分布反馈半导体激光器芯片测试过程中降低温升影响方法

说明书

本发明公开分布反馈半导体激光器芯片测试过程中降低温升影响方法，包括以下步骤：连续施加脉冲电流I_i；脉冲电流0＜I_i≤100mA；施加脉冲电流I_i的时间间隔5‑20μs，脉冲电流I_i占空比为50％；施加脉冲电流时，采集分布反馈半导体激光器芯片在各个脉冲电流I_i的光功率，记录每个脉冲电流I_i下的光功率P；根据光功率P记录分布反馈半导体激光器芯片的发光电流阈值I_th；将脉冲电流I_i时间间隔设置为5‑20μs，选择测量误差最小作为脉冲电流I_i的时间间隔标准值，用于每次测试所施加脉冲电流I_i时间间隔。本发明在持续脉冲供电过程中，通过在分布反馈半导体激光器芯片施加低电平的间隙使得分布反馈半导体激光器芯片散热，有效降低了温度升高给测试结果带来的影响。

技术领域

本发明涉及半导体激光器技术领域，具体的说是涉及分布反馈半导体激光器芯片测试过程中降低温升影响方法。

背景技术

随着半导体激光器相关技术的飞速发展，其输出功率越来越大，也因半导体激光器输出功率大同时具有体积小、重量轻、电光转换效率高、波长范围广、可靠性高和寿命长等优点，已经成为光电行业中最有发展前途的领域，可广泛应用于通信、计算机(主要是数据存储和输入输出设备)、影视、制造业、航天、航空、材料处理、医疗、娱乐、科研、安全防护、军事、反恐、工艺品、显示和印刷等行业。

半导体激光二极管在长距离应用时，分布反馈半导体激光器(DFB-LD)，作为载波光源是高速长距离通信系统中必不可少的器件，而DFB-LD在未加调制和调制下激射的光谱会发生变化，这主要是由于芯片设计、解理一致性、镀膜一致性、增益特点、高电流下的空间烧孔等引起的。这种变化会导致实际应用时的产品指标发生变化。

分布反馈半导体激光器的测试参数涉及到功率、波长、阈值等参数，在分布反馈半导体激光器参数测试过程中，需要给分布反馈半导体激光器施加由小变大的电流，当施加的电流达到分布反馈半导体激光器发光阈值时，分布反馈半导体激光器发光，发光伴随着半导体本身发热，在施加电流的过程中分布反馈半导体激光器本身的温度随着施加电流的时间而升高，由于波长对温升的敏感，温度升高波长产生漂移，发光阈值也发生变化，因此各种参数测量也会伴随着温度的升高而出现测量偏差。由于分布反馈半导体激光器芯片在供电发光的时候，会瞬间产生温度大幅度升高。同时，分布反馈半导体激光器芯片的各项关键参数，包括：功率、波长、阈值，对温度变化非常敏感，少量的温度变化会导致各关键参数的大幅度变化，从而影响最终的测试结果。

目前，尚未有较好的方法解决分布反馈半导体激光器芯片测试过程中温升对测量结果影响的方法。

发明内容

为解决上述背景技术中提出的问题，本发明的目的在于提供分布反馈半导体激光器芯片测试过程中降低温升影响方法。

为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：

本发明提供的分布反馈半导体激光器芯片测试过程中降低温升影响方法，包括以下步骤：

(1)向分布反馈半导体激光器芯片连续施加脉冲电流I_i；

(2)施加脉冲电流0＜I_i≤100mA；

(3)施加脉冲电流I_i的时间间隔是5-20μs，脉冲电流I_i的占空比为50％；

(4)每次施加脉冲电流时，采集分布反馈半导体激光器芯片在各个脉冲电流I_i的光功率，记录每个脉冲电流I_i下的光功率P；

(5)根据光功率P记录分布反馈半导体激光器芯片的发光电流的阈值I_th；