[发明专利]基于模式激发的单模-少模/多模光纤SPR传感器有效
| 申请号: | 201810887671.2 | 申请日: | 2018-08-06 |
| 公开(公告)号: | CN109187440B | 公开(公告)日: | 2021-03-02 |
| 发明(设计)人: | 贾大功;聂安然;张红霞;刘铁根;赵静 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
| 主分类号: | G01N21/552 | 分类号: | G01N21/552 |
| 代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 李素兰 |
| 地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 模式 激发 单模 光纤 spr 传感器 | ||
1.一种基于模式激发的单模-少模/多模光纤SPR传感器,包括石英管(7),所述石英管(7)的两端均设有橡胶塞(8),所述石英管(7)的前段设有上支口,所述石英管(7)的后段设有下支口;其特征在于;
所述石英管(7)内设有单模光纤(2)、模式激发元、少模/多模光纤(4)和镀膜敏感元,所述石英管(7)的两端均设有橡胶塞(8),所述单模光纤(2)的一端自所述石英管(7)一端的橡胶塞穿出,所述少模/多模光纤(4)的一端自所述石英管(7)另一端的橡胶塞穿出;
所述模式激发元是位于单模光纤(2)的另一端与少模/多模光纤(4)的另一端错位熔接而构成的错位熔接区域(3),所述模式激发元采用偏移耦合激励作为激发元;
所述镀膜敏感元是位于所述少模/多模光纤上位于错位熔接区域(3)后面的一段剥去包层的纤芯和镀在这段纤芯外周的金属膜构成的SPR传感区域。
2.根据权利要求1所述基于模式激发的单模-少模/多模光纤SPR传感器,其特征在于,所述镀膜敏感元中的金属膜为银膜。
3.根据权利要求1或2所述基于模式激发的单模-少模/多模光纤SPR传感器,其特征在于,所述石英管(7)内,在所述错位熔接区域(3)和SPR传感区域(5)的外围设有光纤保护架(6)。
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