[发明专利]一种充电装置在审
申请号: | 201810881409.7 | 申请日: | 2018-08-05 |
公开(公告)号: | CN109120027A | 公开(公告)日: | 2019-01-01 |
发明(设计)人: | 徐中干 | 申请(专利权)人: | 杭州展虹科技有限公司 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310012 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电阻 充电装置 充电电流 电池 | ||
本发明公开了一种充电装置。一种充电装置包括第一PMOS管、第一电阻、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NPN管、第四PMOS管、第二NPN管、第二电阻、第三电阻、第五PMOS管、第四电阻和电池。利用本发明可以得到稳定的充电电流。
技术领域
本发明涉及集成电路技术,尤其涉及到一种充电装置。
背景技术
现有技术的充电电流是随温度会有所变化,这样对电池造成损坏,寿命减少,甚者会产生爆炸。
发明内容
本发明旨在解决现有技术的不足,提供一种充电电流恒定的充电装置。
一种充电装置,包括第一PMOS管、第一电阻、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NPN管、第四PMOS管、第二NPN管、第二电阻、第三电阻、第五PMOS管、第四电阻和电池:
所述第一PMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第五PMOS管的栅极和所述第二NPN管的漏极,漏极接所述第一电阻的一端和所述第二PMOS管的栅极,源极接电源电压VCC;所述第一电阻的一端接所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极,另一端接地;所述第二PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极和所述第一电阻的一端,漏极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一NPN管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极,源极接电源电压VCC;所述第三PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第五PMOS管的栅极和所述第二NPN管的集电极,漏极接所述第二PMOS管的漏极和所述第一NPN管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极,源极接电源电压VCC;所述第一NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第二PMOS管的漏极和所述第三PMOS管的漏极和所述第二NPN管的基极,发射极接地;所述第四PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和所述第二NPN管的集电极,源极接电源电压VCC;所述第二NPN管的基极接所述第二PMOS管的漏极和所述第三PMOS管的漏极和所述第一NPN管的基极和集电极,集电极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第五PMOS管的栅极,发射极接所述第二电阻的一端;所述第二电阻的一端接所述第二NPN管的发射极,另一端接所述第三电阻的一端;所述第三电阻的一端接所述第二电阻的一端,另一端接地;所述第五PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第二NPN管的集电极,漏极接所述第四电阻的一端,源极接电源电压VCC;所述第四电阻的一端接所述第五PMOS管的漏极,另一端接所述电池的正极;所述电池的正极接所述第四电阻的一端,负极接地。
所述第一PMOS管、所述第一电阻和所述第二PMOS管构成启动电路部分,所述第二PMOS管的栅极通过所述第一电阻接地而导通,有启动电流传给由所述第一NPN管、所述第二NPN管、所述第二电阻和所述第三电阻构成产生充电电流的核心部分,启动电流通过所述第一NPN管镜像给所述第二NPN管进而使整个充电装置开始工作,再通过所述第四PMOS管和所述第三PMOS管反馈电路传给核心部分;启动电路提供启动电流后,电流源正常工作后,由于所述第一PMOS管导通使得所述第二PMOS管的栅极拉高,所述第二PMOS管的漏极就不会有电流流出,使启动电路部分关闭;所述第二电阻和所述第三电阻上的电流是所述第一NPN管的BE结电压除以所述第二电阻和所述第三电阻的电阻值之和,由于所述第二电阻采用呈负温度系数的多晶POLY电阻,所述第三电阻采用呈正温度系数的基区BASE电阻,通过调节这两个电阻的温度系数达到零温度系数;所述第二电阻和所述第三电阻上的电流再通过所述第四PMOS管镜像给所述第五PMOS管对所述电池进行充电;所述第四电阻起到限流作用。
附图说明
图1为本发明的充电装置的电路图。
具体实施方式
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