[发明专利]2,5位取代的吡啶化合物及其应用在审

专利信息
申请号: 201810872274.8 申请日: 2018-08-02
公开(公告)号: CN108774212A 公开(公告)日: 2018-11-09
发明(设计)人: 马腾达;黄达;曹辰辉;孙晓媛;陈少海 申请(专利权)人: 瑞声科技(南京)有限公司
主分类号: C07D401/14 分类号: C07D401/14;C07D519/00;C07D413/14;C07D417/14;C07D409/14;C07D405/14;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 210093 江苏省南京市鼓楼区青岛路3*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 吡啶化合物 主体材料 有机电致发光材料 空穴 嵌套 蓝色发光材料 磷光发光材料 三重态能级 传输性能 热稳定性 吡啶基团 咔唑基团 玻璃化 深蓝色 咔唑 咔啉 应用 引入
【说明书】:

发明属于有机电致发光材料领域,公开了一种2,5位取代的吡啶化合物及其应用。本发明所公开的化合物具有通式(I)所示的结构。该类化合物通过吡啶基团和咔唑基团的嵌套组合,改善了电子和空穴在化合物内部的传输性能,此外还在咔唑或咔啉的2位或7位引入取代基,因而玻璃化温度、三重态能级和热稳定性高,适合作为蓝色发光材料的主体材料,特别是深蓝色磷光发光材料的主体材料。

技术领域

本发明属于有机电致发光材料领域,特别涉及一类2,5位取代的吡啶化合物及其应用。

背景技术

在有机电致发光器件技术领域,可通过不同的方式实现高效、高寿命的发光,对于发射光谱的发光层,其中一种方式就是采用主客体掺杂的形式进行效率和寿命的提升。

为了实现高效率的发光,避免能量从客体材料向主体材料的逆向能量回传,同时将三重态激子限定在发光层,主体材料的三重态能级应该大于掺杂材料的三重态能级。当主体材料的三重态能级小于掺杂材料的三重态能量时,将会发生从掺杂材料至主体材料能级反跃迁的现象,从而导致发光效率降低。因此,对于发光材料层,需要高热稳定性和高于掺杂材料三重态能量的主体材料。

现有技术中,大部分主体材料是空穴传输型主体材料或电子传输型主体材料。由于载流子传输性能的不平衡,这种单极性的主体材料容易形成不利的窄的复合区域。通常,当使用空穴传输型主体材料时,在发光层和电子传输层界面会产生电荷复合区域,而当使用电子传输型主体材料时,在发光层和空穴传输层界面会产生电荷复合区域。然而弱的载流子迁移率和发光层中不平衡的电荷对有机发光器件的发光效率不利。同时,有机电致发光器件这种窄的电荷复合区域,会加快三重态-三重态湮灭过程,从而导致发光效率下降,尤其是在电流密度条件下。为了避免这种效应,通常采用的策略是:(1)使用两个发光层,其中一层使用空穴传输型主体材料,另一个发光层使用电子传输型主体材料;(2)将空穴传输型和电子传输型主体材料混合置于单个发光层中。然而,这两种策略使得器件的制备变得复杂,且混合的主体材料会导致相分离的问题。

因此,为了达到高效的电致发光效果,需要发展具有平衡的载空穴和流子传输性能的主体材料,以拓宽电荷复合区域。

发明内容

本发明的目的在于提供一种2,5位取代的吡啶化合物及其应用,该种2,5位取代的吡啶化合物是一种较好的蓝色磷光主体材料。

本发明的目的通过以下技术方案实现:

本发明的实施方式提供了一种2,5位取代的吡啶化合物,其具有通式(I)所示的结构:

其中,

X1、X2、Y1、Y2、Z1、Z2各自独立地表示N原子或CRx,且所述Rx表示氢原子、氘原子、卤素原子、C1-C24烷基、C1-C24烷氧基、C1-C24烷硫基、C2-C24烷胺基、C6-C72芳基、C6-C72芳氧基、C6-C72芳硫基、C7-C72芳胺基、C3-C72杂芳基、C3-C72杂芳氧基、C3-C72杂芳硫基或C4-C72杂芳胺基;

N1-N8各自独立地表示N原子或CRy,且所述Ry表示氢原子、氘原子、卤素原子、C1-C24烷基、C1-C24烷氧基、C1-C24烷硫基、C2-C24烷胺基、C6-C72芳基、C6-C72芳氧基、C6-C72芳硫基、C7-C72芳胺基、C3-C72杂芳基、C3-C72杂芳氧基、C3-C72杂芳硫基或C4-C72杂芳胺基;

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