[发明专利]一种透波型Si3

说明书

本发明涉及一种透波型Si₃N_4f/Si₃N₄复合材料表面涂层的制备方法，在不同密度的Si₃N_4f/Si₃N₄复合材料内部孔隙或表面采用循环浸渍‑CVI或者多次Dip‑coating的方法引入不同体积分数的Si₃N₄晶须浆料涂层；最后根据引入的Si₃N₄晶须体积分数，在合适的沉积温度、沉积时间范围内在Si₃N_4w涂层表面CVD Si₃N₄保护层，获得与基体结合良好的晶须Si₃N₄晶须涂层。通过在Si₃N_4f/Si₃N₄复合材料表面引入一种涂层结构，来改善其环境性能不足等缺点。通过调控浆料Si₃N_4w体积分数、Si₃N_4w引入时机、浸渍次数控制浆料涂层厚度，控制沉积温度及沉积时间来控制CVD Si₃N₄的渗透性及厚度，有助于填充由预制体结构残留的孔隙以及CVI瓶颈工艺的孔隙，提高复合材料的致密度，提高复合材料的防吸潮、耐磨、抗氧化及抗烧蚀等性能。

技术领域

本发明属于复合材料的制备方法，涉及一种透波型Si₃N_4f/Si₃N₄复合材料表面涂层的制备方法，涉及一种透波型Si₃N₄纤维改性Si₃N₄陶瓷基复合材料(Si₃N_4f/Si₃N₄)表面涂层的制备方法。

背景技术

Si₃N_4f/Si₃N₄陶瓷基复合材料是发展天线罩的主要候选材料之一，具有耐高温、耐化学腐蚀、低密度、高比强、高比模、低介电、抗氧化、抗疲劳蠕变，以及对裂纹不敏感，不发生灾难性破坏等特点。随着导弹武器的发展，各类导弹的速度以及精确控制越来越高，因此导弹天线罩所处的环境越来越恶劣，对透波材料的要求也越来越苛刻。因而在保证其介电性能的同时，对其耐磨、耐烧蚀、抗雨蚀、高温抗氧化能力等性能提出了更高的要求。