[发明专利]一种模拟致密油藏微观模型制作方法有效

专利信息
申请号: 201810839747.4 申请日: 2018-07-27
公开(公告)号: CN109025983B 公开(公告)日: 2021-08-13
发明(设计)人: 梁天博;周福建;苏航;姚二冬;许江文;李根生;罗兆;刘雄飞;李福远 申请(专利权)人: 中国石油大学(北京);中国石油天然气股份有限公司;北京科麦仕油田化学剂技术有限公司
主分类号: E21B49/00 分类号: E21B49/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 王涛;孙乳笋
地址: 102249*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 模拟 致密 油藏 微观 模型 制作方法
【权利要求书】:

1.一种模拟致密油藏微观模型制作方法,其特征在于,所述的方法包括:

清洗硅片,将清洗后的硅片进行修饰、甩胶;

对甩胶后的硅片进行曝光、显影,将油藏模型的孔隙图案转移到硅片上;

在硅片的孔喉图形中键合纳米管的位置上进行精准刻槽形成硅片槽;所述纳米管为玻璃材质的纳米圆管;

对刻槽后的硅片进行修饰,将纳米管放置于所述硅片槽内;

将PDMS材料浇铸到硅片并进行干燥、冷却,得到PDMS模型;

将所述PDMS模型与PDMS盖片进行键合,获得微观油藏模型;

所述的将PDMS材料浇铸到硅片,得到PDMS模型包括:

将硅橡胶聚物和固化剂按10:1的比例混合搅拌,放入真空泵排气,获得配置的PDMS前体;

将硅片放置于预先铺设锡纸的低皿中,将所述PDMS前体浇铸在硅片图形中,放置于120℃恒温干燥箱中干燥30分钟;

冷却后,去除锡纸得到PDMS模型;

所述对刻槽后的硅片进行修饰,将纳米管放置于所述硅片槽内还包括:

将纳米管浸泡在2%三甲基氯硅烷的甲醇溶液中,将纳米管润湿性改性为油湿后,将纳米管放置于所述硅片槽内。

2.如权利要求1所述的模拟致密油藏微观模型制作方法,其特征在于,所述清洗硅片包括:

使用浓硫酸和过氧化氢的混合液浸泡硅片;

使用超纯水清洗浸泡后的硅片,并蒸干硅片残留的超纯水。

3.如权利要求2所述的模拟致密油藏微观模型制作方法,其特征在于,所述使用浓硫酸和过氧化氢的混合液浸泡硅片包括,

使用浓硫酸和过氧化氢的比例为3:1的混合液,浸泡硅片15分钟。

4.如权利要求2所述的模拟致密油藏微观模型制作方法,其特征在于,所述使用超纯水清洗浸泡后的硅片,并蒸干硅片残留的超纯水包括:

使用无水乙醇清洗硅片1分钟,使用丙酮摇动清洗硅片1分钟后使用超纯水清洗硅片;

将清洗后的硅片悬空放置200℃电热板上方,蒸干残留的超纯水。

5.如权利要求1所述的模拟致密油藏微观模型制作方法,其特征在于,所述将清洗后的硅片进行修饰、甩胶包括:

将清洗后的硅片放置于挥发缸中,滴入修饰试剂,修饰3分钟,所述修饰试剂为六甲基二硅烷,98+%;

将修饰后的硅片放置于匀胶机中,将光刻胶铺置与硅片并静置1-2分钟后,按照500rpm15s,3000rpm 75s进行甩胶,结束后真空静置1-2分钟。

6.如权利要求5所述的模拟致密油藏微观模型制作方法,其特征在于,所述光刻胶包括:阴胶SU-8。

7.如权利要求1所述的模拟致密油藏微观模型制作方法,其特征在于,所述对甩胶后的硅片进行曝光、显影包括:

将刻有孔喉通道的掩膜与硅片叠放,进行曝光,并将曝光后的硅片放置于65℃加热板加热1分钟;

使用显影剂清洗硅片1-3分钟,并用氮气吹干。

8.如权利要求1所述的模拟致密油藏微观模型制作方法,其特征在于,所述在硅片上孔喉图形键合纳米管的位置进行刻槽形成硅片槽包括:

在硅片上孔喉图形键合纳米管的位置刻槽;

用超纯水清洗硅片,并用氮气吹干刻槽后的硅片。

9.如权利要求1所述的模拟致密油藏微观模型制作方法,其特征在于,所述对刻槽后的硅片进行修饰包括:

将刻槽后的硅片放置于挥发缸中,滴入修饰试剂,修饰3分钟,其中所述修饰试剂为二氯二甲基硅烷。

10.如权利要求1所述的模拟致密油藏微观模型制作方法,其特征在于,所述的将所述PDMS模型与PDMS盖片进行键合,获得微观油藏模型包括:

将所述PDMS模型与PDMS盖片放入氧离子刻蚀机,表面改性1分钟,取出后立刻将PDMS模型与PDMS盖片接触粘合;

将粘合后的PDMS模型与PDMS盖片放入85℃恒温箱干燥10分钟。

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