[发明专利]一种斜面匹配台阶的波导平板阵列天线在审
申请号: | 201810824259.6 | 申请日: | 2018-07-25 |
公开(公告)号: | CN109216939A | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | 张小磊;王孟 | 申请(专利权)人: | 西安三维通信有限责任公司 |
主分类号: | H01Q21/06 | 分类号: | H01Q21/06;H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 闫家伟 |
地址: | 710077 陕西省西安市高新区丈*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 匹配台阶 馈电网络层 耦合层 耦合腔 平板阵列天线 波导 辐射层 五边形 切角 加工精度要求 波导功分器 传导方向 机械加工 馈电网络 电磁波 馈电口 电抗 宽带 匹配 抵消 引入 转换 | ||
1.一种斜面匹配台阶的波导平板阵列天线,其特征在于,包括:辐射层、耦合层和馈电网络层,所述辐射层设置于所述耦合层上方,所述馈电网络层设置于所述耦合层下方;
所述的馈电网络层设置有波导功分器、第一匹配台阶、馈电口;所述第一匹配台阶为切角五边形,每一个第一匹配台阶对应于耦合层中的一个耦合腔,用于抵消馈电网络层到耦合腔转换时所引入的电抗,同时引导电磁波的传导方向;
所述第一匹配台阶被切除部分边长a1和边长b1之比为时,所述耦合层中耦合腔处的反射损耗达到最优;
其中,d1为相邻辐射缝间的间距,Lslot为辐射缝的长度,Wslot为辐射缝的宽度;边长a1为所述第一匹配台阶沿耦合腔宽边的切边长度;边长b1位所述第一匹配台阶沿耦合腔窄边的切边长度。
2.根据权利要求1所述的斜面匹配台阶的波导平板阵列天线,其特征在于,相邻辐射缝间距d1为0.93*λmin,辐射缝宽度Wslot为1/10λmax,辐射缝长度Lslot为所述第一匹配台阶被切除部分的边长a1和边长b1之比为
其中,λmin为波导平板阵列天线工作频段内高频对应的电磁波空间自由波长,λmax为低频对应的电磁波空间自由波长。
3.根据权利要求1所述的斜面匹配台阶的波导平板阵列天线,其特征在于,所述辐射层上设置有多个谐振腔,各谐振腔上设置有四个辐射缝,所述四个辐射缝紧贴谐振腔的四个侧壁,电磁波将通过所述辐射缝辐射出去。
4.根据权利要求1所述的斜面匹配台阶的波导平板阵列天线,其特征在于,所述辐射层上设置有去耦栅,所述去耦栅位于相邻辐射缝之间的横向中心,用于减小相邻辐射缝间的互耦效应。
5.根据权利要求1所述的斜面匹配台阶的波导平板阵列天线,其特征在于,所述耦合层用于在接收信号时将所述辐射层上各个辐射缝吸收的信号耦合到所述馈电网络层,在发射信号时将所述馈电网络层中的能量耦合到所述辐射层。
6.根据权利要求1所述的斜面匹配台阶的波导平板阵列天线,其特征在于,每个所述第一匹配台阶与每个所述耦合层中的耦合腔一一对应,用于抵消馈电网络层到耦合腔转换时所引入的电抗,同时引导电磁波的传导方向。
7.根据权利要求1所述的斜面匹配台阶的波导平板阵列天线,其特征在于,所述波导功分器为E-T分支波导功分器。
8.根据权利要求1所述的斜面匹配台阶的波导平板阵列天线,其特征在于,所述波导功分器中设置有匹配隔板,用于调节所述波导功分器的反射损耗。
9.根据权利要求1所述的斜面匹配台阶的波导平板阵列天线,其特征在于,所述斜面匹配台阶的波导平板阵列天线设置有垂直于阵面的馈电口,所述馈电口正对处设置有第二匹配台阶,用于调节馈电口处的反射损耗,同时引导电磁波的传导方向。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安三维通信有限责任公司,未经西安三维通信有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810824259.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种低剖面小型化相控阵天线
- 下一篇:超宽带紧耦合阵列天线