[发明专利]显示装置在审
申请号: | 201810818610.0 | 申请日: | 2018-07-24 |
公开(公告)号: | CN108847177A | 公开(公告)日: | 2018-11-20 |
发明(设计)人: | 洪凱尉;杨创丞;张硕文;廖伟见 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 栅线 数据线 开启状态 子像素 第一开关 方向延伸 交叉形成 显示装置 正整数 条栅 充电 暗点 | ||
本发明公开一种显示装置,包含沿第一方向延伸的多条数据线、沿第二方向延伸的多条栅线以及第一开关。多条数据线包含第m数据线,m为正整数;多条栅线包含相邻的第n栅线及第n+1栅线,第m数据线与第n栅线交叉形成第一子像素,第m数据线与第n+1栅线交叉形成第二子像素,n为正整数;第一开关连接于第m数据线;于第一时段内,第n栅线及第n+1栅线为开启状态,第一开关为开启状态,以对第一子像素及第二子像素进行充电;于第二时段内,第n栅线由开启状态转为关闭状态,第n+1栅线保持为开启状态,第一开关保持为开启状态,以对第二子像素进行充电。本发明可避免现有技术中两连暗点的发生。
技术领域
本发明涉及一种显示装置,尤其是一种可以避免因异物缺陷造成两连暗点发生的显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展,LTPS(LoW Temperature Poly-silicon,低温多晶硅)薄膜晶体管可具有较高的迁移率和输出电流,其适合搭配多工器(Multiplexer)电路进行使用,一来可迎合目前的窄边框技术趋势,二来能够在一根栅线(Gateline)使能期间内将对应像素的电压充到预设准位。
请参考图1A及图1B,图1A为现有技术中显示面板的局部电路示意图,图1B为图1A对应的时序图。显示面板至少包含第一栅线G1、第二栅线G2以及第一数据线DL1,第一数据线DL1与第一栅线G1交叉而形成第一子像素PX1’,第一数据线DL1与第二栅线G2交叉而形成第二子像素PX2’,假设于第二子像素PX2’处在制作过程中存在异物,使得第一数据线DL1与公共电极经由异物而导通(或称短路)。如图1B所示,于第一时段t1内,与第一数据线DL1连接的第一多工器开关MuxG由开启状态转为关闭状态,则第一数据线DL1处于浮置(floating)状态,例如维持电压准位为4V。此时,第二栅线G2为开启状态,第二子像素PX2’处于可接收第一数据线DL1上的电压信号的状态,而由于第一数据线DL1与公共电极导通,导致第一数据线DL1的电位被拉低至与公共电极相同的电压准位(例如0V),从而第二子像素PX2’成为暗点,同时,第一栅线G1为开启状态,第一子像素PX1’处于可接收第一数据线DL1上的电压信号的状态,从而第一数据线DL1上的电压信号(与公共电极相同的电压准位)被输送至第一子像素PX1’,导致第一子像素PX1’亦成为暗点,从而因异物缺陷导致了两连暗点的发生,影响了显示面板的最终等级。故,如何避免因异物缺陷导致两连暗点的发生,成为业内需要解决的问题。
发明内容
本发明的目的在于避免显示装置中因某一子像素处的数据线与公共电极因异物缺陷发生短路进而导致两连暗点的发生。
为了达到上述目的,本发明提出一种显示装置,包含沿第一方向延伸的多条数据线、沿第二方向延伸的多条栅线以及第一开关。该多条数据线包含第m数据线,m为正整数;该多条栅线包含相邻的第n栅线及第n+1栅线,该第一方向与该第二方向不平行,该第m数据线与该第n栅线交叉形成第一子像素,该第m数据线与该第n+1栅线交叉形成第二子像素,n为正整数;第一开关连接于该第m数据线;于第一时段内,该第n栅线及该第n+1栅线为开启状态,该第一开关为开启状态,以对该第一子像素及该第二子像素进行充电;于第二时段内,该第n栅线由开启状态转为关闭状态,该第n+1栅线保持为开启状态,该第一开关保持为开启状态,以对该第二子像素进行充电。
作为可选的技术方案,该显示装置包含多工电路,该多工电路包含该第一开关。
作为可选的技术方案,该多工电路还包含第二开关,该第n+1栅线由关闭状态转为开启状态后,该第一开关的开启时长为第一时长,该第二开关的开启时长为第二时长,该第一时长大于该第二时长。
作为可选的技术方案,该多工电路还包含第三开关,该第n+1栅线由关闭状态转为开启状态后,该第三开关的开启时长为第三时长,该第二时长等于该第三时长。
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