[发明专利]线圈机构及磁控溅射装置

说明书

本发明涉及一种线圈机构及磁控溅射装置。其中，线圈机构设于磁控溅射装置内的靶材的背面，以为磁控溅射装置提供磁场环境，其特征在于，所述线圈机构包括第一线圈单元，所述第一线圈单元包括由导电线构成的环形结构以及由导线构成的条形结构，所述条形结构位于所述环形结构内，在通电状态下，所述环形结构靠近所述靶材的一侧与所述条形结构靠近所述靶材的一侧磁极相反。上述线圈机构及磁控溅射装置，在镀膜过程中，通过调整线圈机构通入的直流电流的大小来改变磁场强度，以调整溅射速率，避免了靶材打火。

技术领域

本发明涉及磁控溅射领域，特别是涉及一种线圈机构及磁控溅射装置。

背景技术

现有的磁控溅射装置在镀膜过程中，随着靶材溅射损耗，一般通过增加镀膜功率的方式维持原有的镀膜速率，以使膜层厚度均匀。但增加镀膜功率时，容易导致靶材打火，影响膜层溅射质量。

发明内容

基于此，有必要针对上述问题，提供一种结构及磁控溅射装置。

一种线圈机构，设于磁控溅射装置内的靶材的背面，以为磁控溅射装置提供磁场环境，所述线圈机构包括第一线圈单元，所述第一线圈单元包括由导电线构成的环形结构以及由导线构成的条形结构，所述条形结构位于所述环形结构内，在通电状态下，所述环形结构靠近所述靶材的一侧与所述条形结构靠近所述靶材的一侧磁极相反。

在其中一个实施例中，所述环形结构包括两个直线部以及两个弧形部，两个所述直线部平行间隔排布，且分别位于所述条形结构的相对的两侧，两个所述弧形部分别位于所述条形结构的相对的两端。

在其中一个实施例中，每一所述弧形部分别与两个所述直线部连接。

在其中一个实施例中，所述第一线圈单元的数目为多个，多个所述第一线圈单元沿与所述条形结构垂直的方向排布，且相邻两个所述环形结构具有共用部。

在其中一个实施例中，所述线圈机构还包括构成部，每一所述构成部位于相邻两个所述条形结构的端部，相邻两个所述条形结构以及与该相邻两个所述条形结构对应的两个所述构成部，以及位于该相邻两个所述条形结构之间的所述共用部共同构成所述线圈机构的第二线圈单元。

在其中一个实施例中，所述第一线圈单元的数目为偶数个，在沿与所述条形结构垂直的方向上，位于两端的两个所述环形结构的外侧为外边部；

所述线圈机构还包括两个外围部，每一所述外围部位于两个所述外边部的端部，两个所述外边部、两个所述外围部以及位于多个所述第一线圈单元的中心的所述共用部共同构成所述线圈机构的第三线圈单元。

在其中一个实施例中，所述构成部以及所述外围部均呈弧形，所述共用部及所述外边部均呈直线形。

一种磁控溅射装置，包括靶材、背板、固定板及上述线圈机构，所述靶材固定于所述背板上，所述线圈机构设于所述背板远离所述靶材的一侧，且所述线圈机构固定在所述固定板上。

在其中一个实施例中，所述固定板与所述背板之间的距离可调，以调节所述线圈机构与所述靶材之间的相对距离。

在其中一个实施例中，所述磁控溅射装置还包括密封舱及抽真空机构，所述靶材、所述背板、所述线圈机构及所述固定板均设置在所述密封舱内，所述抽真空机构与所述密封舱连接。

上述线圈机构及磁控溅射装置，在镀膜过程中，通过调整线圈机构通入的直流电流的大小来改变磁场强度，以调整溅射速率，避免了靶材打火。

附图说明

图1为本发明一实施例提供的磁控溅射装置结构示意图；

图2为本发明一实施例提供的第一线圈单元结构示意图；

图3为图2中两个第一线圈单元排布结构示意图；