[发明专利]大电流供电保护电路有效
申请号: | 201810791996.0 | 申请日: | 2018-07-18 |
公开(公告)号: | CN108879591B | 公开(公告)日: | 2020-02-11 |
发明(设计)人: | 张立新 | 申请(专利权)人: | 深圳市沃特沃德股份有限公司 |
主分类号: | H02H3/08 | 分类号: | H02H3/08;H02H3/20 |
代理公司: | 44343 深圳市明日今典知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 王杰辉 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区蛇口*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 并联电路 导通 电压检测控制电路 供电保护电路 开关电路 升压电路 瞬间电流 大电流 限时 检测 芯片 检测控制电路 电压输出端 电压输入端 电流异常 电源浪涌 电源模组 过流保护 过热保护 过压保护 控制电压 平均电流 输入电压 力板 监测 | ||
1.大电流供电保护电路,其特征在于,包括电压输入端、电压输出端、PTC并联电路、MOS管开关电路、电压检测控制电路、瞬间电流检测开关电路和DC-DC升压电路,其中,
所述PTC并联电路至少由三颗PTC热敏电阻并联组成,用于进行平均电流的检测保护和过热保护;
所述MOS管开关电路,用于进行过压保护和瞬间过流保护;
所述电压检测控制电路,用于当输入电压超过设定上限时,控制所述MOS管开关电路由导通到关闭;
所述瞬间电流检测开关电路,用于对所述PTC并联电路两端的电压进行监测,当瞬间电流超过设定上限时,通过控制所述电压检测控制电路来控制所述MOS管开关电路由导通到关闭;
所述DC-DC升压电路,用于导通所述MOS管开关电路;
所述电压输入端、PTC并联电路、MOS管开关电路、电压输出端顺序连接,所述电压输入端与所述MOS管开关电路之间分别连接所述电压检测控制电路、DC-DC升压电路,所述瞬间电流检测开关电路并联所述PTC并联电路且与所述电压检测控制电路相连接。
2.根据权利要求1所述的大电流供电保护电路,其特征在于,所述MOS管开关电路包括NMOS管Q3,所述NMOS管Q3的漏极连接所述PTC并联电路的输出端,所述NMOS管Q3的源极连接所述电压输出端,所述NMOS管Q3的栅极分别与所述电压检测控制电路、DC-DC升压电路的输出端相连接。
3.根据权利要求2所述的大电流供电保护电路,其特征在于,所述电压检测控制电路包括电阻R1、稳压二极管ZD1、电阻R2、三极管Q2和电阻R8,所述稳压二极管ZD1的负极通过所述电阻R1与所述电压输入端相连接,所述电阻R2的第一端分别与所述稳压二极管ZD1的正极、瞬间电流检测开关电路的输出端、三极管Q2的基极相连接,第二端接地;所述三极管Q2的集电极连接所述NMOS管Q3的栅极,所述电阻R8的第一端连接所述三极管Q2的发射极,第二端接地。
4.根据权利要求3所述的大电流供电保护电路,其特征在于,所述瞬间电流检测开关电路包括电阻R6、电阻R7、三极管Q1和电容C3,所述电阻R6的第一端连接所述三极管Q1的基极,所述电阻R6的第二端连接所述PTC并联电路的输出端;所述三极管Q1的发射极连接所述PTC并联电路的输入端,所述电阻R7的第一端分别与所述三极管Q1的集电极、电容C3的第一端相连接,所述电阻R7的第二端分别与所述稳压二极管ZD1的正极、电阻R2的第一端、三极管Q2的基极相连接;所述电容C3的第二端接地。
5.根据权利要求4所述的大电流供电保护电路,其特征在于,所述DC-DC升压电路包括集成芯片U1、电感L1、电容C4、电阻R13、整流二极管D1、电容C5、电阻R14、电阻R15和电阻R9,所述电容C4的第一端分别与所述电压输入端、电阻R13的第一端、电感L1的第一端相连接,所述电容C4的第二端接地;所述集成芯片U1的EN端连接所述电阻R13的第二端,GND端接地,IN端连接所述电感L1的第一端,SW端分别与所述电感L1的第二端、整流二极管D1的正极相连接;所述电阻R9的第一端分别与所述整流二极管D1的负极、电容C5的第一端、集成芯片U1的OV端、电阻R14的第二端相连接,所述电阻R9的第二端分别与所述三极管Q2的集电极、NMOS管Q3的栅极相连接;所述电容C5的第二端接地,所述电阻R15的第一端分别与所述集成芯片U1的FB端、电阻R14的第一端相连接,所述电阻R15的第二端接地。
6.根据权利要求1所述的大电流供电保护电路,其特征在于,还包括第一滤波电路,所述第一滤波电路包括电容C1,所述电容C1的第一端连接所述电压输入端,所述电容C1的第二端接地。
7.根据权利要求6所述的大电流供电保护电路,其特征在于,还包括第二滤波电路,所述第二滤波电路包括电容C2,所述电容C2的第一端连接所述电压输出端,所述电容C2的第二端接地。
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