[发明专利]一种聚甲基乙撑碳酸酯基高阻隔材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201810782164.2 申请日: 2018-07-17
公开(公告)号: CN109161177B 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 孟跃中;蒋德功;王拴紧;肖敏 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: C08L69/00 分类号: C08L69/00;C08L27/08
代理公司: 广州市深研专利事务所(普通合伙) 44229 代理人: 姜若天
地址: 510275 *** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 甲基 碳酸 酯基高 阻隔 材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种聚甲基乙撑碳酸酯基高阻隔材料,其特征在于:由如下质量百分数的组分制成:聚甲基乙撑碳酸酯50-90份,聚偏二氯乙烯10-50份;

所述聚甲基乙撑碳酸酯的数均分子量为30000-120000,初始分解温度为240-300℃,拉伸强度为10-50 MPa,断裂伸长率为500%-1500%,氧气透过率为2.0-3.2 cm3·mm/m2·24h;170℃,2.16kg下的熔融指数为20-45 g/10min;

所述聚偏二氯乙烯是由偏二氯乙烯和氯乙烯单体通过悬浮共聚合成的,氯乙烯的质量分数为3-20%;密度为1.60-2.10 g/cm3,熔融温度为155-168℃,拉伸强度为15-20 MPa,断裂伸长率为100%-500%,氧气透过率为0.3-0.6 cm3·mm/m2·24h,初始分解温度为170-210℃;170℃,2.16kg下的熔融指数为4-7 g/10min。

2.权利要求1所述聚甲基乙撑碳酸酯基高阻隔材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1. 将聚甲基乙撑碳酸酯提纯除去残留的催化剂;

S2. 将S1得到的材料和聚偏二氯乙烯按配方计量后进行熔融共混;

S3. 将S2得到的材料进行造粒。

3.根据权利要求2所述的聚甲基乙撑碳酸酯基高阻隔材料的制备方法,其特征在于,S1中采用溶液法进行提纯,通过盐酸去中和残留催化剂。

4.根据权利要求2所述的聚甲基乙撑碳酸酯基高阻隔材料的制备方法,其特征在于,S2中熔融共混的温度范围为130-180℃,转速为50-200 rad/min。

5.根据权利要求2所述的聚甲基乙撑碳酸酯基高阻隔材料的制备方法,其特征在于,S3中造粒的转速范围为300-1000 rad/min。

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