[发明专利]基于磁致伸缩压电材料的磁电天线及其制备方法有效
| 申请号： | 201810718545.4 | 申请日： | 2018-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN108879071B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 吕晓洲;赵少博;唐弘尧 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01Q1/22 | 分类号： | H01Q1/22;H01Q1/36;H01L41/08;H01L41/113;H01L41/12;H01L41/29;H01L41/35;H01L41/47 |
| 代理公司： | 61237 西安知诚思迈知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 麦春明<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 710126 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 天线 磁控溅射法 叉指电极 磁致伸缩 压电材料 磁电 磁致伸缩材料层 悬浮 压电材料层 机械振动 电磁波 衬底 制备 灵敏 沉积压电材料 磁致伸缩效应 衬底表面 尺寸缩小 电学天线 个数量级 间接感应 理论限制 振动感应 硅衬底 波长 沉积 得磁 刻蚀 整块 转换 制作 | ||
1.基于磁致伸缩压电材料的磁电天线，其特征在于，包括硅悬浮衬底(4)，硅悬浮衬底(4)上依次设有叉指电极(3)和压电材料层(2)，压电材料层(2)上设有磁致伸缩材料层(1)，叉指电极(3)设于压电材料层(2)内部，压电材料层(2)两端与硅悬浮衬底(4)相接触，硅悬浮衬底(4)上底面和下底面之间镂空；硅悬浮衬底(4)上底面厚度为压电材料层(2)和磁致伸缩材料层(1)厚度之和的0.5-5倍。
2.根据权利要求1所述的基于磁致伸缩压电材料的磁电天线，其特征在于，所述磁致伸缩材料层(1)和压电材料层(2)的形状与硅悬浮衬底(4)的上底面相同，长为5cm、宽为5cm，且厚度为50nm-5μm。
3.根据权利要求1所述的基于磁致伸缩压电材料的磁电天线，其特征在于，所述叉指电极(3)采用Pt、Au、Al、Cu和Ag的任意一种。
4.根据权利要求1所述的基于磁致伸缩压电材料的磁电天线，其特征在于，所述硅悬浮衬底(4)下底面长为10cm、宽为10cm，硅悬浮衬底(4)的材质为高阻硅。
5.如权利要求1-4任意一项所述的基于磁致伸缩压电材料的磁电天线的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤进行：
步骤一、对整块硅衬底进行刻蚀其成为硅悬浮衬底(4)；
步骤二、采用磁控溅射法在硅悬浮衬底(4)表面制作叉指电极(3)；
步骤三、采用磁控溅射法在叉指电极(3)上沉积压电材料层(2)，并与硅悬浮衬底(4)相接触；
步骤四、采用磁控溅射法在压电材料层(2)上沉积磁致伸缩材料层(1)。
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