[发明专利]一种UV光敏胶黏剂及应用该胶黏剂的晶圆用UV保护膜及其制备方法

说明书

本发明揭示了一种UV光敏胶黏剂，按质量百分比计包括以下组分：星型SIS 10％‑15％，聚合萜烯A 10％‑15％，聚合萜烯B 1％‑5％，光稳定剂0.5‰‑0.8‰，老化剂1‰‑4‰，空心微球3‰‑20‰，溶剂60％‑75％。本发明的一种UV光敏胶黏剂常温即可快速达到较高粘结强度，具有对PO及PVC等软质基材有着良好的密着性，且可短时间耐受100℃的高温，且胶质柔软，初粘极为优异，耐老化性能优良。本发明的一种应用上述胶黏剂的晶圆用UV保护膜，不仅在紫外光照射后减粘效果显著，且还能在紫外光照射前对橡胶压敏胶进行增粘。

技术领域

本发明属于胶黏剂技术领域，涉及一种UV光敏胶黏剂及应用该胶黏剂的晶圆用UV保护膜及其制备方法。

背景技术

随着电子产品的日新月异，电子材料尤其是电子集成电路要求也越来越高。集成电路主要原材料取决于硅片及其加工工艺。最近几年，晶圆减薄已成为半导体工业的一种关键技术，它有助于开发诸如智能卡和视频识别(RFID) 器件等技术，并已成为在最新型的移动电话、个人数字助理(PDA)及其他小型、轻便且功能强大的电子设备中日趋流行的堆栈式芯片封装的一种重要方法。从材料的观点来看，硅的特性是非常稳定的，但它很脆，以至于硅晶圆会显示出某种脆性。尤其是在研磨及减薄工艺过程中，晶圆的稳定性是晶圆破损率的主要因素。不过，对后道切割工艺和产品应用来说，芯片级的稳定性才是最关键的。

UV保护膜(UV tape)是专为晶片研磨、切割及软性电子零件之承载加工之用而设计。UV保护膜主要是以有一定柔度的PO或PVC膜为基材，涂布特殊UV胶粘剂，具高粘着力，切割时能以超强的粘着力确实粘住晶片即使是小晶片也不会发生位移或剥除，使晶片于研磨、切割过程不脱落、不飞散而能确实的切割。加工结束后，只要照射适量的紫外线就能瞬间的降低粘着力，即使是大晶片也可以用轻松正确的捡拾而不残胶脱胶受污染，提高捡晶时的捡拾性，没有胶黏剂沾染所造成的污染，更不会因为照射紫外线而对IC造成不好的影响。

国内市场上，目前主要应用于晶圆切割、研磨等过程保护的UV保护膜主要来自于日本进口，如琳得科UV保护膜等，国内尚未有相关合格产品。日本应用于晶圆加工的UV保护膜，其胶黏剂主要是由丙烯酸压敏胶和各种低聚物、单体及光引发剂组成，其主要原理是丙烯酸压敏胶体系内的单体、低聚物及光引发剂等在紫外光照射后，引发剧烈反应产生过度交联而造成胶层收缩，进而使得胶黏剂与被保护表面的接触面积变小而减粘。日本UV保护膜在紫外光照射前粘着力可达2000gf/inch，UV照射后降到30gf/inch以下，且剥离UV 保护膜后不污染晶圆表面，但使用时需对硅晶圆加温60-80℃，以便于贴合更牢固，这造成了工艺的不便。

目前，国内市场上很多厂家开始向高端UV保护膜(晶圆领域)发起技术冲击，但限于UV胶黏剂技术工艺，往往生产的UV保护膜性能不稳定，且 UV胶黏剂大多数购于韩国、日本，没有自己的核心技术；国内高端UV保护膜市场主要被日韩垄断，如琳得科、狮力昂等，这些用于晶圆加工的UV保护膜，其核心胶黏剂体系主要是由丙烯酸压敏胶和各种低聚物、单体及光引发剂组成，经过紫外光照射后可以很好地减粘，但紫外光照射前粘着力也就达到2000gf/inch左右，这还不能完全保证在晶圆切割研磨等过程中粘牢晶圆，这就使得在晶圆加工前，需对贴完UV保护膜的晶圆进行加热到60-80℃，以保证 UV保护膜完全粘结固定住晶圆，这造成了晶圆加工工艺的不便。

发明内容

鉴于上述现有技术存在的缺陷，本发明的目的是提出一种UV光敏胶黏剂及应用该胶黏剂的晶圆用UV保护膜及其制备方法。

本发明的目的将通过以下技术方案得以实现：

一种UV光敏胶黏剂，按质量百分比计包括以下组分：