[发明专利]一种基于精确谐波控制的高效率EF类堆叠功率放大器在审
申请号: | 201810676857.3 | 申请日: | 2018-06-27 |
公开(公告)号: | CN108768321A | 公开(公告)日: | 2018-11-06 |
发明(设计)人: | 胡柳林;邬海峰;滑育楠;陈依军;吕继平;童伟;王测天 | 申请(专利权)人: | 成都嘉纳海威科技有限责任公司 |
主分类号: | H03F3/217 | 分类号: | H03F3/217 |
代理公司: | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人: | 李林合 |
地址: | 610016 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 谐波控制 高效率 堆叠 基波 功率放大器 偏置网络 自偏置 电路 放大器输出阻抗 功率放大网络 堆叠晶体管 高功率输出 供电 匹配方式 匹配网络 谐波阻抗 高增益 漏极 网络 占用 | ||
1.一种基于精确谐波控制的高效率EF类堆叠功率放大器,其特征在于,包括输入稳定及匹配网络、四堆叠自偏置功率放大网络、EF类基波与谐波控制网络、栅极供电偏置网络和漏极供电偏置网络;
所述输入稳定及匹配网络的输入端为整个所述高效率EF类堆叠功率放大器的输入端,其输出端与四堆叠自偏置功率放大网络的输入端连接;
所述EF类基波与谐波控制网络的输出端为整个所述高效率EF类堆叠功率放大器的输出端,其输入端与四堆叠自偏置功率放大网络的输出端连接;
所述栅极供电偏置网络与输入稳定及匹配网络连接,所述漏极供电偏置网络分别与四堆叠自偏置功率放大网络以及EF类基波与谐波控制网络连接。
2.根据权利要求1所述的高效率EF类堆叠功率放大器,其特征在于,所述输入稳定及匹配网络包括依次串联的隔直电容C1、RC抑制电路、微带线TL1以及微带线TL2,所述隔直电容C1未与RC抑制电路连接的一端为输入稳定及匹配网络的输入端,所述微带线TL2未与微带线TL1连接的一端为输入稳定及匹配网络的输出端;
所述RC抑制电路包括并联的电阻R9和电容C2,所述微带线TL1和微带线TL2的连接节点还分别与开路微带线TL3以及栅极供电偏置网络连接。
3.根据权利要求2所述的高效率EF类堆叠功率放大器,其特征在于,所述栅极供电偏置网络包括电阻R8,所述微带线TL1和微带线TL2的连接节点与电阻R8的一端连接,所述电阻R8的另一端分别与电感L1的一端以及接地电容C4连接,所述电感L1的另一端分别与接地电容C3以及低压偏置电源VG连接。
4.根据权利要求1所述的高效率EF类堆叠功率放大器,其特征在于,所述四堆叠自偏置功率放大网络包括按照源极-漏极相连堆叠构成的顶层晶体管Md4、第二中间层晶体管Md3、第一中间层晶体管Md2以及底层晶体管Md1;
所述底层晶体管Md1的源极接地,其栅极为四堆叠自偏置功率放大网络的输入端;
所述第一中间层晶体管Md2的栅极分别与电阻R2的一端以及接地电容C5连接,所述电阻R2的另一端分别与电阻R3的一端以及接地电阻R1连接;
所述第二中间层晶体管Md3的栅极分别与电阻R4的一端以及接地电容C6连接,所述电阻R4的另一端分别与电阻R3的另一端以及电阻R5的一端连接;
所述顶层晶体管Md4的漏极为四堆叠自偏置功率放大网络的输出端,其栅极分别与电阻R6的一端以及接地电容C7连接,所述电阻R6的另一端分别与电阻R5的另一端以及电阻R7的一端连接,所述电阻R7的另一端与漏极供电偏置网络连接。
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