[发明专利]一种特殊偏置结构的带隙基准电压源

权利要求书

1.一种特殊偏置结构的带隙基准电压源，其特征在于，包括正温度系数模块、负温度系数模块、偏置结构模块和求和模块，所述求和模块包括第一输入端和第二输入端，所述正温度系数模块的输出端与所述求和模块的第一输入端相连，所述负温度系数模块与所述求和模块的第二输入端相连，所述求和模块的输出端与所述偏置结构模块的输入端相连，所述偏置结构模块的输出端与所述正温度系数模块和负温度系数模块的输入端相连。

2.根据权利要求1所述的特殊偏置结构的带隙基准电压源，其特征在于，所述正温度系数模块包括PMOS管M1、M2、M3和M4，所述PMOS管M1和M2的栅极互连，所述PMOS管M3和M4的栅极互连，所述PMOS管M1和M2的源极连接至电源电压V_DD。

3.根据权利要求1所述的特殊偏置结构的带隙基准电压源，其特征在于，所述负温度系数模块包括NMOS管M5、M6、M7和M8，所述NMOS管M5和M6的栅极互连，所述NMOS管M7和M8的栅极互连，所述NMOS管M5的源极与所述M7的漏极相连，所述NMOS管M6的源极与所述M8的漏极相连。

4.根据权利要求1或2所述的特殊偏置结构的带隙基准电压源，其特征在于，所述PMOS管M1的漏极与所述M3的源极相连，所述PMOS管M2的漏极与所述M4的源极相连。

5.根据权利要求1或2或3所述的特殊偏置结构的带隙基准电压源，其特征在于，所述PMOS管M3的漏极与所述NMOS管M5的漏极相连，所述PMOS管M4的漏极与所述NMOS管M6的漏极相连。

6.根据权利要求1所述的特殊偏置结构的带隙基准电压源，其特征在于，所述偏置结构模块包括PMOS管M9和M12、NMOS管M10和M11，所述PMOS管M9和M12的源极连接至电源电压V_DD，所述NMOS管M10的漏极和栅极均连接至电源电压V_DD。

7.根据权利要求1所述的特殊偏置结构的带隙基准电压源，其特征在于，所述求和模块包括晶体管Q1、Q2和Q5，所述晶体管Q1的发射极通过电阻连接至所述NMOS管M7的源极，所述晶体管Q2的发射极连接至所述NMOS管M8的源极，所述晶体管Q1、Q2和Q5的基极和集电极均连接至公共端GND。