[发明专利]N位数字校准误差放大电路、LED驱动电路及其误差放大失调电压补偿方法在审

专利信息
申请号: 201810675038.7 申请日: 2018-06-27
公开(公告)号: CN108712800A 公开(公告)日: 2018-10-26
发明(设计)人: 包涵;贺江平;伍滔 申请(专利权)人: 成都英特格灵微电子技术有限公司
主分类号: H05B33/08 分类号: H05B33/08
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 郭彩红
地址: 610000 四川省成都市天府新区天府大道*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 失调电压补偿 误差放大器 校准 电流输出能力 数字校准电路 误差放大电路 弱电压信号 数字校准 误差放大 二进制电流 正相输入端 开关状态 输出电流
【权利要求书】:

1.一种N位数字校准误差放大电路,其特征在于:包括基本误差放大器,所述基本误差放大器的正相输入端为无电流输出能力的弱电压信号;其特征在于:还包括N位数字校准电路,所述N位数字校准电路包括N位二进制电流基准和多个开关,以及校准逻辑电路;N为大于等于2的自然数;通过校准逻辑电路调整所有校准开关状态,实现对所述基本误差放大器的失调电压补偿。

2.根据权利要求1所述的N位数字校准误差放大电路,其特征在于:所述基本误差放大器为基本折叠式运算放大器,包括差分输入对、电流偏置电路及差分输入对的源极跟随电阻;

所述差分输入对包括第九PMOS管MP9和第十PMOS管MP10;所述基本折叠式运算放大器的反相输入端与第九PMOS管MP9的栅极相连,正相输入端与第十PMOS管MP10的栅极相连;

所述电流偏置电路包括:串联的第五PMOS管MP5和第六PMOS管MP6,串联的第三PMOS管MP3和第四PMOS管MP4,串联的第一PMOS管MP1和第二PMOS管MP2,串联的第一NMOS管MN1和第二NMOS管MN2,串联的第三NMOS管MN3和第四NMOS管MN4;所述第一NMOS管MN1和第三NMOS管MN3的源极均接地;所述第四NMOS管MN4的漏极与第四PMOS管MP4的漏极相连;所述第二NMOS管MN2的漏极与第二PMOS管MP2的漏极相连,且接于基本折叠式运算放大器的输出端;所述第一PMOS管MP1、第三PMOS管MP3和第五PMOS管MP5的源极均接电源VCC;

所述源极跟随器包括第三电阻R3和第四电阻R4;所述第九PMOS管MP9的源极接第三电阻R3的一端,漏极接于第一NMOS管MN1和第二NMOS管MN2之间;所述第十PMOS管MP10的源极接第四电阻R4的一端,漏极接于第三NMOS管MN3和第四NMOS管MN4之间;所述第三电阻R3和第四电阻R4的另一端均与第六PMOS管MP6的漏极相连;

所述N位数字校准电路包括串联的第七PMOS管MP7和第八PMOS管MP8,串联的第五NMOS管MN5和第六NMOS管MN6;所述第八PMOS管MP8的漏极和第六NMOS管MN6漏极相连,栅极与第六PMOS管MP6的栅极相连;所述第六NMOS管MN6的栅极与第四NMOS管MN3的栅极相连;所述第七PMOS管MP7的源极接电源VCC,栅极接第五PMOS管MP5的栅极;所述第五NMOS管MN5的源极接地,栅极通过C3开关KC3连接到基本折叠式运算放大器的输出端,且栅极通过C4B开关KC4B接地;第一开关到第N开关K1~KN一端接地,另一端一方面通过C5开关KC5连接到第九PMOS管MP9的源极,另一方面通过C6开关KC6连接到第十PMOS管MP10的源极;所述基本折叠式运算放大器的输出端与输出端接地RC电路之间设置有C4A开关KC4A;所述第九PMOS管MP9的栅极,与基本折叠式运算放大器反相输入端之间连接有C1B开关KC1B,与地之间连接有C2B开关KC2B;所述第十PMOS管MP10的栅极,与基本折叠式运算放大器正相输入端之间连接有C1A开关KC1A,与地之间连接有C2A开关KC2A;所述校准逻辑电路一方面与上述所有开关的控制端相连,另一方面与第六NMOS管MN6的漏极相连。

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