[发明专利]一种AgIO3

说明书

本发明属于光催化材料技术领域，具体涉及一种AgIO₃/Ag₂O异质结光催化材料，是由AgIO₃与Ag₂O复合而成。还涉及所述光催化材料的制备方法，在搅拌条件下将KIO₃溶液逐滴缓慢滴加至AgNO₃溶液中，生成白色沉淀，再逐步滴加NaOH溶液，有棕色絮状沉淀生成，充分搅拌后，静置，使银离子沉淀完全，用蒸馏水反复洗涤、抽滤，然后烘干，得到AgIO₃/Ag₂O异质结光催化材料。最后涉及所述光催化材料的用途，用于在可见光下光催化降解废水中的抗生素。本发明涉及的制备方法工艺简单、易于控制、成本较低、绿色无污染；制备的AgIO₃/Ag₂O异质结光催化材料经过紫外可见漫反射的测试，其光响应向可见光区移动，有效提高了对太阳光的利用率，可进一步拓展其在挥发性有机废气光催化降解的应用。

技术领域

本发明属于光催化材料技术领域，具体涉及一种AgIO₃/Ag₂O异质结光催化材料及其制备方法和应用。

背景技术

光催化技术是一种清洁的光能利用物质转化技术，它的应用领域包括光解水制氢、光催化降解、抗菌除臭、有机污染物、降解空气中的挥发性有机物(VOCs)以及处理中金属离子等。借助半导体材料实现光催化反应的技术得到越来越广泛的关注，半导体材料在光照下能产生电子-空穴对，一部分电子和空穴在体相内或表面相遇而复合，另一部分电子迁移到半导体表面具有较强的还原能力，可以与吸附的氧结合，生成具有强氧化性的自由基；而迁移到半导体表面的空穴则具有较强的氧化能力，可以与吸附在半导体表面的 OH-和H₂O结合，形成诸如·OH、·HO₂、H₂O₂和·O₂^-的强氧化性的自由基，这些自由基可以直接与反应物发生作用并将其氧化分解，不产生二次污染。而在半导体光催化技术中，提高光催化效率的关键是缩小禁带宽度，提高光量子的利用率，使半导体的可见光响应性能改善，以及避免光生电子-空穴对的复合。

众所周知，Ag系半导体催化剂是一类重要的具有可见光响应性能的光催化剂。其中，氧化银属于p型半导体，禁带宽度为1.3eV，响应波长在可见光区域，而且有较强的吸收，是一种高活性、高选择性的窄带隙光催化材料之一。但单独的Ag₂O光催化剂的光生电子-空穴的分离效率较差，因而限制了其最终的光催化效率。

发明内容

本发明要解决的技术问题，在于提供一种AgIO₃/Ag₂O异质结光催化材料及其制备方法和应用，将Ag₂O与AgIO₃进行杂化，形成复合光催化剂，拓展了其在光催化领域的应用。

本发明是这样实现的：

本发明首先提供了一种AgIO₃/Ag₂O异质结光催化材料，是由AgIO₃与Ag₂O 复合而成。

其中，AgIO₃与Ag₂O的复合比例为100％-200％，该复合比例为摩尔比，其表示的含义为AgIO₃占Ag₂O的摩尔量比。

更优选地，AgIO₃与Ag₂O的复合比例为125％。

进一步地，所述Ag₂O是由氢氧化钠溶液与硝酸银溶液采用室温液相沉淀法制备。

进一步地，所述AgIO₃是以硝酸银、碘酸钾为原料，利用沉淀法合成。