[发明专利]一种提高互感器电磁平衡性的方法在审
申请号: | 201810669082.7 | 申请日: | 2018-06-26 |
公开(公告)号: | CN108878121A | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 陈广金;谭宝良 | 申请(专利权)人: | 深圳市斯密德电子科技有限公司 |
主分类号: | H01F27/36 | 分类号: | H01F27/36;H01F38/20 |
代理公司: | 广州粤弘专利代理事务所(普通合伙) 44492 | 代理人: | 董武洲 |
地址: | 518035 广东省深圳市宝安区新安街道宝兴路*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 互感器 电磁平衡 磁环 动作电流 屏蔽片 屏蔽 护盒 火线 零线 合格率 增设 | ||
1.一种提高互感器电磁平衡性的方法,其特征在于,是通过在磁环(1)内侧的护盒(2)上增设弧形的屏蔽片(3)。
2.根据权利要求1所述的一种提高互感器电磁平衡性的方法,其特征在于,将所述的屏蔽片(3)设置为封闭式的环形圆筒。
3.根据权利要求1所述的一种提高互感器电磁平衡性的方法,其特征在于,使所述屏蔽片(3)的高度不小于所述磁环(1)的高度。
4.根据权利要求1所述的一种提高互感器电磁平衡性的方法,其特征在于,使所述屏蔽片(3)的高度与所述护盒(2)的高度相适配。
5.根据权利要求1所述的一种提高互感器电磁平衡性的方法,其特征在于,使靠近所述磁环(1)一侧的屏蔽片(3)侧面的粗糙度大于远离所述磁环(1)一侧的屏蔽片(3)侧面的粗糙度。
6.根据权利要求1所述的一种提高互感器电磁平衡性的方法,其特征在于,采用纳米晶片、非晶片、硅钢片、坡莫合金片中的任意一种作为所述的屏蔽片(3)。
7.根据权利要求1-6中任意一项所述的一种提高互感器电磁平衡性的方法,其特征在于,将所述的屏蔽片(3)设置在护盒(2)中定位座(5)与磁环(1)之间。
8.根据权利要求1-6中任意一项所述的一种提高互感器电磁平衡性的方法,其特征在于,将所述的屏蔽片(3)设置在护盒(2)中定位座(5)的内壁上。
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