[发明专利]数据的读取方法、装置、电子设备和存储介质

说明书

本发明实施例公开了一种数据的读取方法、装置、电子设备和存储介质。所述方法包括：在对选中字线对应的位线充电端充电至读取工作电压后，对选中字线及非选中字线的栅极施加第一设定时间的读取电压；根据位线的充电端的当前电压，从位线中筛选出擦除状态位线并确定擦除状态位线对应的存储单元所存储数据为1；对位线中除擦除状态位线以外的待确定位线的充电端充电至读取工作电压，不对擦除状态位线的充电端充电后，对选中字线以及非选中字线的栅极施加第二设定时间的读取电压；根据待确定位线的充电端当前电压，确定待确定位线对应的存储单元所存储数据。本发明实施例的技术方案实现了降低存储器的读取数据功耗，提高存储器读取数据的准确度。

技术领域

本发明实施例涉及存储器读取数据技术领域，尤其涉及一种数据的读取方法、装置、电子设备和存储介质。

背景技术

Nand-flash存储器是flash存储器的一种，其具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。

现有技术中，Nand-flash存储器在进行读取数据操作时，一般是首先将所有位线的电压进行充电，充电完毕之后对选中字线的栅极和未选中字线的栅极同时施加各自对应的工作电压，施加工作电压一段时间(例如20微秒)后读取位线的电压值来确定所需读取的数据为何。

发明人在实现本发明的过程中，发现现有技术存在如下缺陷：在读取数据过程中，擦除状态的位线会产生较大的电流，不但会增加存储器的功耗，还可能会导致个别擦除状态位线的读取数据错误。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种数据的读取方法、装置、电子设备和存储介质，以优化现有的存储器读取数据的方法。

在第一方面，本发明实施例提供了一种数据的读取方法，包括：

在对选中字线对应的各个位线的充电端充电至读取工作电压之后，对所述选中字线的栅极以及非选中字线的栅极施加第一设定时间的各自对应的读取电压；

根据所述各个位线的充电端的当前电压，从所述各个位线中筛选出擦除状态位线，并确定所述擦除状态位线对应的存储单元所存储的数据为1；

再次对所述各个位线中除所述擦除状态位线以外的待确定位线的充电端充电至所述读取工作电压，且不对所述擦除状态位线的充电端充电之后，对所述选中字线的栅极以及所述非选中字线的栅极施加第二设定时间的各自对应的读取电压；

根据所述待确定位线的充电端的当前电压，确定所述待确定位线对应的存储单元所存储的数据。

在上述方法中，可选的是，所述第一设定时间小于所述第二设定时间。

在上述方法中，可选的是，所述根据所述各个位线的充电端的当前电压，从所述各个位线中筛选出擦除状态位线，包括：

如果所述充电端的当前电压小于设定电压阈值，则确定与该充电端对应的位线为擦除状态位线。

在上述方法中，可选的是，所述根据所述待确定位线的充电端的当前电压，确定所述待确定位线对应的存储单元所存储的数据，包括：

如果所述待确定位线的充电端的当前电压为0V，则确定所述待确定位线对应的存储单元所存储的数据为1；

如果所述待确定位线的充电端的当前电压大于0V，则确定所述待确定位线对应的存储单元所存储的数据为0。

在第二方面，本发明实施例提供了一种数据的读取装置，包括：

第一电压施加模块，用于在对选中字线对应的各个位线的充电端充电至读取工作电压之后，对所述选中字线的栅极以及非选中字线的栅极施加第一设定时间的各自对应的读取电压；