[发明专利]新型摆率增强电路、低压差线性稳压器有效

专利信息
申请号: 201810593350.1 申请日: 2018-06-11
公开(公告)号: CN108508953B 公开(公告)日: 2020-03-24
发明(设计)人: 姜梅;孙凯;张瀚元;阳召成 申请(专利权)人: 深圳大学
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 代理人: 袁文英
地址: 518060 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 新型 增强 电路 低压 线性 稳压器
【权利要求书】:

1.一种新型摆率增强电路,其特征在于,所述新型摆率增强电路包括若干MOS管和若干电容;

若干所述电容,用于检测外部输入的反馈电压的变化,当检测到所述反馈电压发生变化时,向若干所述MOS管发送控制信号;

若干所述MOS管,与所述电容相连接,用于根据所述控制信号控制所述新型摆率增强电路的输出端输出电压的上升或者下降,使得与所述新型摆率增强电路的输出端相连接的功率调整管的摆率限制得到改善;

所述新型摆率增强电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第一电容和第二电容;

所述第一MOS管的源极连接输入电压,所述第一MOS管的漏极连接所述第三MOS管的漏极,所述第一MOS管的栅极依此通过所述第一电容和第二电容连接至所述第四MOS管的栅极;

所述第二MOS管的源极连接所述输入电压,所述第二MOS管的漏极连接所述第四MOS管的漏极,所述第二MOS管的栅极连接所述第五MOS管的栅极,且所述第二MOS管的栅极与漏极相连接;

所述第三MOS管的栅极连接所述第六MOS管的栅极,所述第三MOS管的源极接地,且所述第三MOS管的漏极与栅极相连接;

所述第四MOS管的源极接地;所述第五MOS管的源极连接所述输入电压,所述第五MOS管的漏极连接所述第六MOS管的漏极;所述第六MOS管的源极接地;所述新型摆率增强电路的输出端连接于所述第五MOS管的漏极与所述第六MOS管的漏极之间。

2.如权利要求1所述的新型摆率增强电路,其特征在于,所述第一MOS管、第二MOS管和第五MOS管为PMOS管,所述第三MOS管、第四MOS管和第六MOS管为NMOS管。

3.一种低压差线性稳压器,其特征在于,包括权利要求1至2任意一项所述的新型摆率增强电路和低压差线性稳压电路;

所述新型摆率增强电路的输出端与所述低压差线性稳压电路的功率调整管的栅极相连接。

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